台湾积体电路制造股份有限公司马丁·克里斯多福·霍兰德获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体元件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112447827B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010809097.6，技术领域涉及：H10D62/13；该发明授权半导体元件及其制造方法是由马丁·克里斯多福·霍兰德;布莱戴恩·杜瑞兹;马库斯·琼斯·亨利库斯·范达尔;奥野泰利设计研发完成，并于2020-08-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体元件及其制造方法在说明书摘要公布了：一种半导体元件及其制造方法，在一个实施例中，一种器件包括：具有通道区的半导体基板；通道区上方的栅堆叠；以及与栅堆叠相邻的磊晶源极漏极区，该磊晶源极漏极区包括：半导体基板中的主要部分，主要部分包括掺有镓的半导体材料，主要部分中的镓的第一浓度小于半导体材料中镓的固体溶解度；在主体部分上的终端部分，终端部分掺有镓，终端部分中镓的第二浓度大于半导体材料中镓的固体溶解度。
本发明授权半导体元件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体元件，其特征在于，包括： 一半导体基板，具有一通道区； 一栅堆叠，位于该通道区之上；及 一磊晶源极漏极区，与该栅堆叠相邻，该磊晶源极漏极区包括： 一主部分，位于该半导体基板中，该主部分包括掺杂有镓的一半导体材料，该主部分中镓的一第一浓度小于该半导体材料中镓的固体溶解度，其中该主部分还掺杂有硼至一第三浓度，该第一浓度小于该第三浓度；及 一终端部分，位于该主部分上方，该终端部分掺杂有镓，该终端部分中镓的一第二浓度大于该半导体材料中镓的固体溶解度，其中该主部分具有一第一厚度，该终端部分具有一第二厚度，且该终端部分的该第二厚度小于该主部分的该第一厚度，且其中该终端部分的一最高表面在该主部分的一最高表面正上方。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人台湾积体电路制造股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号