三星电子株式会社孙龙勋获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体存储器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112635471B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010822815.3，技术领域涉及：H10B41/30；该发明授权半导体存储器件及其制造方法是由孙龙勋设计研发完成，并于2020-08-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储器件及其制造方法在说明书摘要公布了：公开了半导体存储器件及其制造方法。可以提供该方法，包括：通过在衬底上交替堆叠多个第一绝缘层和多个第二绝缘层来形成模制结构；对模制结构进行图案化以形成第一沟槽，第一沟槽暴露模制结构的第一内侧壁；使用衬底作为种子，在第一沟槽中生长竖直半导体层，使得竖直半导体层覆盖第一内侧壁；对模制结构进行图案化以形成第二沟槽，第二沟槽暴露模制结构的第二内侧壁；通过从模制结构中经由第二沟槽选择性地去除第二绝缘层来形成多个凹陷；以及使用竖直半导体层作为种子，在相应的凹陷中水平生长多个水平半导体层。
本发明授权半导体存储器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体存储器件的方法，所述方法包括： 通过在衬底上交替堆叠多个第一绝缘层和多个第二绝缘层来形成模制结构； 对所述模制结构进行图案化以形成第一沟槽，所述第一沟槽暴露所述模制结构的第一内侧壁； 使用所述衬底作为种子，在所述第一沟槽中生长竖直半导体层，使得所述竖直半导体层覆盖所述第一内侧壁； 对所述模制结构进行图案化以形成第二沟槽，所述第二沟槽暴露所述模制结构的第二内侧壁； 通过从所述模制结构中经由所述第二沟槽选择性地去除所述第二绝缘层来形成多个凹陷；以及 使用所述竖直半导体层作为种子，在相应的凹陷中水平生长多个水平半导体层， 其中，当生长所述水平半导体层时，在所述水平半导体层中的至少一个中发生晶格缺陷，并且 其中，所述晶格缺陷从所述水平半导体层中的相应水平半导体层的底表面朝向所述相应水平半导体层的顶表面倾斜地延伸。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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