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日东电工株式会社竹安智宏获国家专利权

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龙图腾网获悉日东电工株式会社申请的专利透明导电性薄膜、透明导电性薄膜的制造方法及中间体获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN112447313B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202010905488.8,技术领域涉及:H01B5/14;该发明授权透明导电性薄膜、透明导电性薄膜的制造方法及中间体是由竹安智宏;延泽秀树设计研发完成,并于2020-09-01向国家知识产权局提交的专利申请。

透明导电性薄膜、透明导电性薄膜的制造方法及中间体在说明书摘要公布了:本发明提供导体层与透明导电层的密合性优异的透明导电性薄膜、该透明导电性薄膜的制造方法、及该透明导电性薄膜的制造方法中使用的中间体。透明导电性薄膜1朝向厚度方向一侧依次具备透明基材2和导电层3。导电层3具备视觉辨识区域10及配置于视觉辨识区域10的外周边缘部的边框区域11。视觉辨识区域10具备透明导电层4。边框区域11具备:导体层5、透明导电层4、及配置于它们之间且用于实现导体层5与透明导电层4的密合的导电密合层6。透明导电层4包含金属纳米线。

本发明授权透明导电性薄膜、透明导电性薄膜的制造方法及中间体在权利要求书中公布了:1.一种透明导电性薄膜,其特征在于,朝向厚度方向一侧依次具备透明基材和导电层, 所述导电层具备视觉辨识区域及配置于所述视觉辨识区域的外周边缘部的边框区域, 所述视觉辨识区域具备透明导电层, 所述边框区域具备:导体层、所述透明导电层、及配置于它们之间且用于实现所述导体层与所述透明导电层的密合的导电密合层, 所述透明导电层包含金属纳米线, 所述导电密合层包含选自由铬、硅氧化物及铜·镍·钛合金组成的组中的1者以上。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人日东电工株式会社,其通讯地址为:日本大阪府;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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