安徽寒武纪信息科技有限公司请求不公布姓名获国家专利权
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龙图腾网获悉安徽寒武纪信息科技有限公司申请的专利一种电容器结构及其形成电容器结构的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114188480B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010963852.6，技术领域涉及：H10D1/68；该发明授权一种电容器结构及其形成电容器结构的方法是由请求不公布姓名设计研发完成，并于2020-09-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种电容器结构及其形成电容器结构的方法在说明书摘要公布了：本披露涉及电容器结构及形成电容器结构的方法，在晶圆第一侧形成第一电容器，并在第二侧形成第二电容器，所述电容器结构包括第一电容器及第二电容器。本披露在中介层的两端制成沟槽电容器，可以提升电容值，进而大幅增加供电稳定性。
本发明授权一种电容器结构及其形成电容器结构的方法在权利要求书中公布了：1.一种在晶圆形成电容器结构的方法，所述晶圆包括第一侧及相对于所述第一侧的第二侧，所述方法包括： 在所述第一侧形成第一电容器；以及 在所述第二侧形成第二电容器； 其中所述电容器结构包括所述第一电容器及所述第二电容器； 其中所述形成第二电容器的步骤包括： 形成第一硅通孔层与第二硅通孔层；以及 在所述第一硅通孔层与第二硅通孔层上沉积第一介电层； 在所述第二侧蚀刻多个深沟槽，其中每个深沟槽的宽度与深度对应特定比例，所述多个深沟槽间隔特定距离； 在所述多个深沟槽的底部、侧壁和所述第一介电层上沉积第二介电层； 在所述第二介电层上方沉积第一导电层； 在所述第一导电层上方沉积第三介电层； 在所述第三介电层上方沉积第二导电层，所述第二导电层填满所述第一导电层及所述第三介电层未填充的所述多个深沟槽的剩余部分； 沉积第一重布线层与所述第一导电层电性连接；以及 沉积第二重布线层与所述第二导电层电性连接； 其中，所述第一重布线层电性连接至所述第一硅通孔层，所述第二重布线层电性连接至所述第二硅通孔层。
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