东京毅力科创株式会社高木聪获国家专利权
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龙图腾网获悉东京毅力科创株式会社申请的专利成膜方法和成膜装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112582254B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011002086.3，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权成膜方法和成膜装置是由高木聪;北村和也;蔡秀林设计研发完成，并于2020-09-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本成膜方法和成膜装置在说明书摘要公布了：本发明提供一种成膜方法和成膜装置，能够将半导体膜选择性地形成于氮化膜和氧化膜中的氮化膜。成膜方法包括以下工序：对露出氮化膜的区域与露出氧化膜的区域相邻的基板供给含氟气体，使氟形成于所述基板，并且选择性地蚀刻所述氮化膜和所述氧化膜中的所述氮化膜，使所述氮化膜的表面相对于所述氧化膜的表面凹陷来在所述氧化膜的侧面形成台阶面；以及在使氟吸附于所述基板并且形成所述台阶面的工序之后，对所述基板供给包含半导体材料的原料气体，将半导体膜选择性地形成于所述氮化膜和所述氧化膜中的所述氮化膜。
本发明授权成膜方法和成膜装置在权利要求书中公布了：1.一种成膜方法，包括以下工序： 对露出氮化膜的区域与露出氧化膜的区域相邻的基板供给含氟气体，使氟吸附于所述基板，并且选择性地蚀刻所述氮化膜和所述氧化膜中的所述氮化膜，使所述氮化膜的表面相对于所述氧化膜的表面凹陷来在所述氧化膜的侧面形成台阶面；以及 在使氟吸附于所述基板并且形成所述台阶面的工序之后，对所述基板供给包含半导体材料的原料气体，将半导体膜选择性地形成于所述氮化膜和所述氧化膜中的所述氮化膜。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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