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龙图腾网获悉上海格易电子有限公司;北京兆易创新科技股份有限公司申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114256248B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011013620.0，技术领域涉及：H10B41/10；该发明授权半导体器件及其制造方法是由张永福;陈春晖;罗啸设计研发完成，并于2020-09-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：衬底；位于衬底上的栅叠层结构；贯穿栅叠层结构的多个开孔；贯穿栅叠层结构的开槽；位于开槽内的牺牲层、阻挡层和接触结构；绝缘层，用于在多个开孔内形成第一气隙，并在阻挡层、接触结构和栅叠层结构之间实现电气隔离，其中，所述接触结构贯穿所述绝缘层和阻挡层，所述牺牲层和所述阻挡层被所述绝缘层隔开，部分所述阻挡层延伸到所述牺牲层上方。该半导体器件提高了阻挡层的第一端部和第二端部与接触结构的距离，从而大大降低了第二气隙与接触结构相接触的可能性，提高了半导体器件的良率和可靠性。

本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括： 形成位于衬底上的栅叠层结构； 形成贯穿所述栅叠层结构的多个开孔，以在所述栅叠层结构中形成相互分隔的多条字线； 形成贯穿所述栅叠层结构的开槽，以在所述栅叠层结构中形成用于控制相邻选择管的第一选择控制栅线和第二选择控制栅线，所述开槽将所述第一选择控制栅线与所述第二选择控制栅线隔离； 形成第一氧化层，所述第一氧化层覆盖所述多条字线的侧壁以及所述第一选择控制栅线与所述第二选择控制栅线的侧壁； 形成牺牲层，所述牺牲层填充覆盖所述多条字线的侧壁与第一氧化层之间的空隙； 形成覆盖所述牺牲层的第二氧化层； 部分地去除位于所述开槽中的所述牺牲层，所述第一氧化层和第二氧化层以形成注入窗口； 去除剩余的第二氧化层； 依次形成第三氧化层，阻挡层，第四氧化层； 部分地去除所述牺牲层和阻挡层以形成多条字线之间的第一气隙； 形成覆盖所述栅叠层结构、所述开孔和所述开槽的第五氧化层；形成位于所述开槽内接触结构。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海格易电子有限公司;北京兆易创新科技股份有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路498号1幢502/15、502/17、502/19、502/21室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。