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龙图腾网获悉TCL科技集团股份有限公司申请的专利复合材料及其制备方法和发光二极管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114316942B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011048617.2，技术领域涉及：C09K11/02；该发明授权复合材料及其制备方法和发光二极管是由聂志文;张旋宇设计研发完成，并于2020-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本复合材料及其制备方法和发光二极管在说明书摘要公布了：本申请涉及显示技术领域，提供了一种复合材料及其制备方法和发光二极管。本申请提供的复合材料包括发光量子点、不发光量子点和连接配体，连接配体连接发光量子点和不发光量子点。如此，使得不发光量子点作为保护量子点并结合连接配体表面修饰发光量子点，实现了在不影响发光量子点的光学性能的基础上有效填补发光量子点的表面缺陷，提高了量子点材料的光学稳定性；同时，将不发光量子点通过连接配体连接发光量子点，有效增加各发光量子点之间的距离，避免发生团聚，并提高了能量利用效率，利于获得具有超高单色性且发光性能优异的复合材料。

本发明授权复合材料及其制备方法和发光二极管在权利要求书中公布了：1.一种复合材料，其特征在于，由发光量子点、不发光量子点和连接配体组成，不发光量子点通过连接配体表面修饰发光量子点；其中，所述发光量子点为二维纳米量子点，所述不发光量子点为零维量子点或二维纳米量子点，所述发光量子点的壳层材料为II-VI族半导体材料，所述发光量子点的核材料为II-VI族半导体材料或III-V族半导体材料，所述II-VI族半导体材料为CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe，所述III-V族半导体材料为GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb、GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb，所述不发光量子点的材料为所述II-VI族半导体材料，所述连接配体选自5-巯基戊酸、8-巯基辛酸、7-巯基庚酸或11-巯基十一烷酸中的一种。

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