瑞萨电子株式会社丸山卓也获国家专利权
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龙图腾网获悉瑞萨电子株式会社申请的专利半导体器件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112687529B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011111113.0，技术领域涉及：H01L21/28；该发明授权半导体器件的制造方法是由丸山卓也;丸山隆弘设计研发完成，并于2020-10-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件的制造方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种半导体器件的制造方法。该制造方法包括：a在半导体衬底上形成用于控制栅极电极的栅极结构；b形成电荷存储膜，以便覆盖栅极结构的第一侧表面、第二侧表面和上表面；c在电荷存储膜上形成用于存储器栅极电极的第一导电膜；d去除电荷存储膜的一部分和导电膜的一部分，使得电荷存储膜和导电膜以此顺序保留在栅极结构的第一侧表面和第二侧表面上；以及e去除栅极结构的与第一侧表面和第二侧表面分离的一部分，使得半导体衬底的一部分从栅极结构露出。
本发明授权半导体器件的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，包括： a在半导体衬底上经由栅极绝缘膜形成用于控制栅极电极的栅极结构； b在所述半导体衬底上形成电荷存储膜，以便覆盖所述栅极结构的第一侧表面、第二侧表面和上表面； c在所述电荷存储膜上形成用于存储器栅极电极的第一导电膜； d去除所述电荷存储膜的一部分和所述第一导电膜的一部分，使得所述电荷存储膜和所述第一导电膜以此顺序保留在所述半导体衬底上的所述栅极结构的所述第一侧表面和所述第二侧表面上，从而形成所述存储器栅极电极；以及 e去除所述栅极结构的、与所述第一侧表面和所述第二侧表面分离的一部分，使得所述半导体衬底的一部分从所述栅极结构露出， 其中所述a包括： a1在所述栅极绝缘膜上形成堆叠膜，在所述堆叠膜中以此顺序堆叠用于控制栅极电极的第二导电膜和盖绝缘膜； a2通过去除所述堆叠膜的一部分来形成彼此分离的第一栅极结构部分和第二栅极结构部分；以及 a3在所述半导体衬底上形成牺牲层，以便填充形成在所述第一栅极结构部分与所述第二栅极结构部分之间的开口，并且 其中在所述e中去除所述牺牲层。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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