北京京东方传感技术有限公司;京东方科技集团股份有限公司尚建兴获国家专利权
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龙图腾网获悉北京京东方传感技术有限公司;京东方科技集团股份有限公司申请的专利一种探测基板、平板探测器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114388538B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011142827.8，技术领域涉及：H10F39/12；该发明授权一种探测基板、平板探测器是由尚建兴;占香蜜;姜振武;夏会楠;侯学成设计研发完成，并于2020-10-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种探测基板、平板探测器在说明书摘要公布了：本发明提供了一种探测基板及其制作方法、平板探测器，涉及光电检测技术领域，能避免金属氧化物薄膜晶体管被还原，提高金属氧化物薄膜晶体管的稳定性。探测基板包括阵列排布的多个探测像素单元；探测像素单元包括：设置在衬底之上的薄膜晶体管、牺牲层和光电转换部；牺牲层位于薄膜晶体管和光电转换部之间；其中，薄膜晶体管包括有源层、第一电极和第二电极；有源层在衬底上的至少部分正投影位于牺牲层在衬底上的正投影以内；光电转换部分别与牺牲层、第一电极电连接；探测基板中，各探测像素单元的牺牲层相互独立。本发明适用于探测基板的制作。
本发明授权一种探测基板、平板探测器在权利要求书中公布了：1.一种探测基板，其特征在于，包括衬底以及位于所述衬底之上的阵列排布的多个探测像素单元； 所述探测像素单元包括：设置在所述衬底之上的薄膜晶体管、牺牲层和光电转换部；所述牺牲层位于所述薄膜晶体管和所述光电转换部之间；所述牺牲层的材料包括金属氧化物，所述金属氧化物与氢原子发生反应； 其中，所述薄膜晶体管包括有源层、第一电极和第二电极；所述有源层在所述衬底上的至少部分正投影位于所述牺牲层在所述衬底上的正投影以内；所述光电转换部分别与所述牺牲层、所述第一电极电连接； 所述探测基板中，各所述探测像素单元的所述牺牲层相互独立； 所述探测像素单元还包括第一钝化层、第一有机层和第一过孔，所述第一过孔贯穿所述第一钝化层和所述第一有机层，以露出所述第一电极； 所述牺牲层与所述第一电极不接触； 所述牺牲层在所述衬底上的正投影与所述第一过孔在所述衬底上的正投影互不交叠或者部分交叠。
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