松下知识产权经营株式会社杉浦裕树获国家专利权
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龙图腾网获悉松下知识产权经营株式会社申请的专利光检测器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114616671B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080075353.1，技术领域涉及：H10F39/12；该发明授权光检测器是由杉浦裕树;井上晓登设计研发完成，并于2020-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本光检测器在说明书摘要公布了：固态图像传感器100在基板110上形成有至少两个以上的APD31，当俯视时，在APD31的外侧布置有第一区域32。相邻的APD31之间、相邻的第一区域32之间、以及相邻的APD31与第一区域32之间被分离区域13分离开。对APD31的第四半导体层21施加第一电压V21，对第一区域32的第五半导体层22施加第二电压V22。第一电压V21高于第二电压V22。
本发明授权光检测器在权利要求书中公布了：1.一种光检测器，其在半导体基板上形成有两个以上的雪崩光电二极管（APD），其特征在于：当俯视时，在所述APD的外侧布置有第一区域，相邻的所述APD之间、相邻的所述第一区域之间、以及相邻的所述APD与所述第一区域之间被分离区域分离开，所述APD由所述半导体基板所包含的第二导电型的第一半导体层、和与所述第一半导体层相接触的第一导电型的第四半导体层构成，所述第一区域由所述第一半导体层、和与所述第一半导体层相接触的第一导电型的第五半导体层构成，对所述APD的所述第四半导体层施加第一电压，对所述第一区域的所述第五半导体层施加第二电压，所述第一电压高于所述第二电压，所述分离区域在所述半导体基板的第一主面中至少一部分耗尽，在所述分离区域中没有布置与所述分离区域相连接的接触孔，并且没有形成从所述分离区域的表面朝向内部延伸的沟槽，施加于所述APD的第一反向偏压与施加于所述第一区域的第二反向偏压之差小于所述分离区域与所述第一区域之间的电势差。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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