买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉三菱电机株式会社申请的专利半导体装置以及电力变换装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116368623B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080106392.3，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权半导体装置以及电力变换装置是由海老原洪平设计研发完成，并于2020-11-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置以及电力变换装置在说明书摘要公布了：涉及半导体装置，半导体基板被分割成设置有活性区域的内侧区域和包围内侧区域的外侧区域，半导体装置具备：第1导电类型的半导体层；第2导电类型的终端阱区域，以包围内侧区域的方式选择性地设置于半导体层的上层部；杂质区域，选择性地设置于终端阱区域的上层部；表面电极；背面电极；绝缘膜，以部分性地覆盖终端阱区域的上部的方式设置；外周布线层，至少一部分设置于绝缘膜的上部，包围内侧区域；以及层间绝缘膜，至少覆盖绝缘膜以及外周布线层，表面电极设置在从内侧区域到层间绝缘膜的上部，经由贯通层间绝缘膜而到达杂质区域的第1接触孔与杂质区域连接，外周布线层被设置成从层间绝缘膜的上部的表面电极的端部的下方位于更外侧。

本发明授权半导体装置以及电力变换装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，具有在半导体基板的厚度方向上流过主电流的活性区域，其中， 所述半导体基板被分割成设置有所述活性区域的内侧区域和包围所述内侧区域的外侧区域， 所述半导体装置具备： 第1导电类型的半导体层； 导电类型与所述第1导电类型不同的第2导电类型的终端阱区域，以在俯视时包围所述内侧区域的方式选择性地设置于所述半导体层的上层部； 第1导电类型或者第2导电类型的杂质区域，选择性地设置于所述终端阱区域的上层部； 表面电极，设置于所述半导体基板的与第1主面相反的一侧的第2主面侧； 背面电极，设置于所述第1主面上； 绝缘膜，以部分性地覆盖所述终端阱区域的上部的方式设置； 外周布线层，至少一部分设置于所述绝缘膜的上部，在俯视时包围所述内侧区域；以及 层间绝缘膜，至少覆盖所述绝缘膜以及所述外周布线层， 所述终端阱区域从所述内侧区域和所述外侧区域的边界向所述外侧区域延伸， 所述表面电极设置在从所述内侧区域到所述层间绝缘膜的上部，经由贯通所述层间绝缘膜而到达所述杂质区域的第1接触孔与所述杂质区域连接， 所述外周布线层与设置于所述内侧区域、被引出至所述外侧区域的栅极电极离开， 所述外周布线层被设置成：在俯视时与所述内侧区域相反的一侧即外周侧的外周端部比在俯视时与所述内侧区域相反的一侧的所述终端阱区域的外周端部位于更靠内周侧，并且从所述层间绝缘膜的上部的所述表面电极的端部的下方位于更外侧。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三菱电机株式会社，其通讯地址为：日本东京；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。