三星电子株式会社韩东焕获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112951898B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011227830.X，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体装置是由韩东焕;尹承燦设计研发完成，并于2020-11-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：基底，包括在第一方向上延伸的有源区；栅极结构，与有源区交叉并且在第二方向上延伸；源区漏区，在有源区上位于栅极结构的至少一侧上；接触插塞，在源区漏区上位于栅极结构的所述至少一侧上；以及接触绝缘层，位于接触插塞的侧壁上，其中，接触插塞的下端比源区漏区的下端靠近基底。
本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，所述半导体装置包括： 基底，具有第一区域和第二区域，并且包括在第一方向上延伸的有源区； 栅极结构，分别位于所述第一区域和所述第二区域上，与所述有源区交叉，并且在第二方向上延伸； 源区漏区，在所述有源区上位于所述栅极结构的至少一侧上，并且在上端中包括金属-半导体层； 接触插塞，位于所述栅极结构的所述至少一侧上，所述接触插塞的外表面的部分与所述源区漏区接触，并且所述接触插塞的下端定位得比所述源区漏区的下端靠近所述基底；以及 接触绝缘层，位于所述接触插塞的侧壁上， 其中，所述栅极结构中的每个包括顺序地堆叠在所述基底上的栅极绝缘层和栅电极层以及位于所述栅电极层的在所述第一方向上的侧壁上的栅极间隔件层， 其中，在所述第一区域中栅电极层和与该栅电极层相邻的每个接触插塞之间的第一距离比在所述第二区域中栅电极层和与该栅电极层相邻的每个接触插塞之间的第二距离短， 在平面图中，接触绝缘层完全围绕每个接触插塞的侧壁。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道水原市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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