株式会社田村制作所;诺维晶科股份有限公司町田信夫获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社田村制作所;诺维晶科股份有限公司申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114846593B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080090359.6，技术领域涉及：H01L21/60；该发明授权半导体装置是由町田信夫;佐佐木公平设计研发完成，并于2020-12-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：提供一种半导体装置，其在引线框架安装有将Ga2O3系半导体用作基板和外延层的材料的纵型的半导体元件，能够使热从半导体装置向引线框架高效地散逸。作为一实施方式，提供一种半导体装置1，其具备：引线框架20，其在表面具有凸部200；以及SBD10，其以面朝下的方式安装在引线框架20上，具有：基板11，其包括Ga2O3系半导体；外延层12，其层叠于基板11，包括Ga2O3系半导体；阴极电极13，其连接到基板11；以及阳极电极14，其连接到外延层12并在外周部具有场板部140，SBD10固定在凸部200上，外延层12的外周部120位于引线框架20的平坦部201的正上方。
本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，具备： 引线框架，其在表面具有凸部；以及 半导体元件，其以面朝下的方式安装在上述引线框架上，具有：基板，其包括Ga2O3系半导体；外延层，其层叠于上述基板，包括Ga2O3系半导体；第1电极，其连接到上述基板的与上述外延层相反的一侧的面；以及第2电极，其连接到上述外延层的与上述基板相反的一侧的面并在外周部具有场板部， 上述半导体元件固定在上述凸部上， 上述外延层的位于上述场板部的外侧的外周部位于上述引线框架的未设置有上述凸部的部分即平坦部的正上方。
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