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龙图腾网获悉华润微电子(重庆)有限公司申请的专利GaN器件互联结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114664725B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011537165.4，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权GaN器件互联结构及其制备方法是由肖霞;王黎明设计研发完成，并于2020-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本GaN器件互联结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明GaN器件互联结构及其制备方法，制备方法包括：提供包括源极区、漏极区和栅极区的半导体基底，半导体基底表面定义有相互垂直的第一方向和第二方向；制备栅极组合结构，包括栅指及栅极互联预留部，相邻两条栅指的连接方向为第一方向；制备第一介质层和第一层互联金属；制备第二介质层和第二层互联金属。本发明基于栅极互联预留部实现将栅极的电性引出，通过第一源极金属互联线、第一漏极金属互联线、栅极金属互联线、第二源极金属互联线及第二漏极金属互联线提供一种互联布线方案，有利于栅极电阻的有效控制，利于电流分布均匀，芯片有效面积利用率得到有效提升，适用于氮化镓低压高功率密度的量产产品设计。

本发明授权GaN器件互联结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种GaN器件互联结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括： 提供半导体基底，所述半导体基底包括栅极区、源极区、漏极区； 制备至少一个栅极组合结构，所述栅极组合结构位于所述栅极区，包括至少两条栅指及至少一个与相邻两条栅指连接的栅极互联预留部，所述相邻两条栅指的连接方向为第一方向，所述源极区位于所述栅极区的一侧，所述漏极区位于所述栅极区的另一侧，所述源极区与所述漏极区的连线方向为第二方向，且所述第二方向与所述第一方向垂直； 形成第一介质层，所述第一介质层覆盖所述半导体基底和所述栅极组合结构； 第一次金属化，在所述第一介质层上形成与所述第二方向平行且彼此交替间隔设置的至少一条第一源极金属互联线、至少一条第一漏极金属互联线和至少一条栅极金属互联线，所述第一源极金属互联线借助贯穿所述第一介质层的接触孔与所述第一源极金属互联线下方的所述源极区电连接，所述第一漏极金属互联线借助贯穿所述第一介质层的接触孔与所述第一漏极金属互联线下方的所述漏极区电连接，所述栅极金属互联线借助贯穿所述第一介质层的接触孔与所述栅极互联线下方的所述栅极互联预留部电连接； 形成第二介质层，所述第二介质层覆盖所述第一介质层、所述第一源极金属互联线、所述第一漏极金属互联线和所述栅极金属互联线； 第二次金属化，在所述第二介质层上形成与所述第一方向平行且彼此交替间隔设置的至少一条第二源极金属互联线、至少一条第二漏极金属互联线，所述第二源极金属互联线借助贯穿所述第二介质层的接触孔与所述第二源极金属互联线下方的所述第一源极金属互联线电连接，所述第二漏极金属互联线借助贯穿所述第二介质层的接触孔与所述第二漏极金属互联线下方的所述第一漏极金属互联线电连接。

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