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龙图腾网获悉江苏三月科技股份有限公司申请的专利一种TADF敏化有机电致发光器件及含有该器件的显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114695800B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011644283.5，技术领域涉及：H10K50/11；该发明授权一种TADF敏化有机电致发光器件及含有该器件的显示装置是由赵鑫栋;曹旭东;张兆超;李崇;崔明设计研发完成，并于2020-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种TADF敏化有机电致发光器件及含有该器件的显示装置在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，更具体而言，涉及一种TADF敏化有机电致发光器件及含有该器件的显示装置，所述有机电致发光器件由下至上依次包括：基板、第一电极、有机功能材料层、第二电极，所述有机功能材料层由下至上依次包括：空穴传输区域、发光层和电子传输区域，发光层包括主体材料和掺杂材料；所述主体材料包括一种或多种有机材料，所述主体材料至少包含一种空间CT态TADF材料，所述掺杂材料为含硼化合物。本发明通过对器件中发光层主体材料的选择以及发光层主体材料与掺杂材料之间的搭配，改善有机电致发光器件的效率和使用寿命。

本发明授权一种TADF敏化有机电致发光器件及含有该器件的显示装置在权利要求书中公布了：1.一种TADF敏化有机电致发光器件，其特征在于，所述有机电致发光器件由下至上依次包括：基板、第一电极、有机功能材料层、第二电极， 所述有机功能材料层由下至上依次包括：空穴传输区域、发光层和电子传输区域； 所述空穴传输区域由下至上依次包括：空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层，所述空穴注入层包含空穴传输层材料和P型掺杂剂； 所述发光层包括主体材料和掺杂材料； 所述主体材料包括一种或多种有机材料，所述主体材料至少包含一种空间CT态TADF材料，所述掺杂材料为含硼化合物； 所述空间CT态TADF材料的结构如通式1所示： 其中Ar1和Ar2分别选择D型结构和A型结构，所述D型结构如通式2所示，所述A型结构如通式3或4所示结构； 所述通式2、通式4任一取代位点均可与通式1相连；所述通式3中的L1的其他位点均可与通式1相连； X表示为O、S； Z、Z1、Z2每次出现相同或不同地表示为氮原子或者C-R0； R0表示为氢、氘、取代或未取代的C3～C10环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基，取代或未取代的C5～C30的杂芳基； Ar4、Ar5相同或不同的表示为取代或未取代的C6～C30的芳基，取代或未取代的C5～C30的杂芳基； L、L1分别表示为单键、取代或未取代的C6～C30的亚芳基、取代或未取代的C5～C30的亚杂芳基； 所述取代或未取代的C5～C30的杂芳基或亚杂芳基中的杂原子选自N、S或O； 前述所述的“取代或未取代”中的取代基任选自氘、氰基、甲基、乙基、丙基、异丙基、叔丁基、丁基、戊基、己基、苯基、萘基、萘啶基、二联苯基、三联苯基、吡啶基中的一种或多种。

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