TCL科技集团股份有限公司敖资通获国家专利权
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龙图腾网获悉TCL科技集团股份有限公司申请的专利一种QLED器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114695823B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011639758.1，技术领域涉及：H10K71/00；该发明授权一种QLED器件及其制备方法是由敖资通;张建新;严怡然;杨帆;赖学森;洪佳婷设计研发完成，并于2020-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种QLED器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种QLED器件及其制备方法，所述制备方法包括步骤：提供基板，所述基板包括第一电极；对所述基板进行冷处理或将所述基板置于第一温度条件下，在所述基板上沉积量子点溶液，形成量子点膜层；其中，所述第一温度与所述量子点溶液的存储温度之间的绝对差值为0‑5℃，所述冷处理的温度与所述量子点溶液的存储温度之间的绝对差值为0‑5℃；在所述量子点膜层上制备第二电极。本发明提供的制备方法可以最大程度地避免由于量子点材料因配体脱落而造成QLED器件发光不均匀的问题，并可以大幅降低荧光猝灭的现象。
本发明授权一种QLED器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种QLED器件的制备方法，其特征在于，包括步骤： 提供基板，所述基板包括第一电极； 对所述基板进行冷处理或将所述基板置于第一温度条件下，在所述基板上沉积量子点溶液，形成量子点膜层；其中，所述第一温度与所述量子点溶液的存储温度之间的绝对差值为0-5℃，所述冷处理的温度与所述量子点溶液的存储温度之间的绝对差值为0-5℃； 在所述量子点膜层上制备第二电极； 其中，所述量子点膜层的量子点材料具有配体； 所述第一温度为-15-5℃；所述冷处理的温度为-15-5℃。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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