华邦电子股份有限公司真锅和孝获国家专利权
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龙图腾网获悉华邦电子股份有限公司申请的专利半导体元件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114725281B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110008809.9，技术领域涉及：H10D1/68；该发明授权半导体元件及其制造方法是由真锅和孝;魏宏谕设计研发完成，并于2021-01-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体元件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体元件及其制造方法。半导体元件包括基底与电容器。基底包括存储器阵列区。电容器位于存储器阵列区中。电容器包括第一电极、第二电极与绝缘层。第一电极位于基底上。第二电极包括第一导体层与金属层。第一导体层位于第一电极上。金属层位于第一导体层上。金属层暴露出部分第一导体层。绝缘层位于第一电极与第二电极之间。上述半导体元件可提升半导体元件的电性表现。
本发明授权半导体元件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体元件，其特征在于，包括： 基底，包括存储器阵列区；以及 电容器，位于所述存储器阵列区中，且包括： 第一电极，位于所述基底上； 第二电极，包括： 第一导体层，位于所述第一电极上；以及 金属层，位于所述第一导体层上，其中所述金属层暴露出部分所述第一导体层；以及 绝缘层，位于所述第一电极与所述第二电极之间， 其中所述基底还包括外围电路区，在所述外围电路区中具有内连线结构，且所述半导体元件还包括： 第一接触窗，位于所述存储器阵列区中，且电性连接至所述金属层；以及 第二接触窗，位于所述外围电路区中，且电性连接至所述内连线结构。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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