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龙图腾网获悉信越半导体株式会社申请的专利半导体基板的热氧化膜形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115485817B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180032465.3，技术领域涉及：H01L21/316；该发明授权半导体基板的热氧化膜形成方法是由大槻刚;阿部达夫设计研发完成，并于2021-03-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体基板的热氧化膜形成方法在说明书摘要公布了：本发明为一种半导体基板的热氧化膜形成方法，该方法具有下述工序：相关关系获取工序，其中，预先准备多个化学氧化膜的构成不同半导体基板，在相同的热氧化处理条件下形成热氧化膜，求出化学氧化膜的构成与热氧化膜的厚度的相关关系；基板清洗工序，其中，对半导体基板进行清洗；热氧化膜的厚度推定工序，其中，求出由基板清洗工序中的清洗形成于半导体基板的化学氧化膜的构成，根据相关关系，推定假设在相关关系获取工序中的热氧化处理条件下对半导体基板进行热氧化处理时的热氧化膜的厚度；热氧化处理条件确定工序，其中，以相关关系获取工序中的热氧化处理条件为基准，以使热氧化膜的厚度为规定厚度的方式确定热氧化处理条件；热氧化膜形成工序，其中，在热氧化处理条件确定工序中确定的热氧化处理条件下在半导体基板上形成热氧化膜。由此，再现性良好地将热氧化膜形成为如预期的薄的厚度。

本发明授权半导体基板的热氧化膜形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体基板的热氧化膜形成方法，其是在半导体基板上形成热氧化膜的方法，其特征在于， 该方法具有下述工序： 相关关系获取工序，其中，预先准备多个半导体基板，所述多个半导体基板具有由清洗而形成的化学氧化膜且所述化学氧化膜的构成各不相同，在相同的热氧化处理条件下对所述多个半导体基板进行热氧化处理从而形成热氧化膜，求出所述化学氧化膜的构成与所述热氧化膜的厚度的相关关系； 基板清洗工序，其中，对作为形成热氧化膜的对象的半导体基板进行清洗； 热氧化膜的厚度推定工序，其中，测定由所述基板清洗工序中的所述清洗而形成于所述半导体基板的表面的化学氧化膜的构成，根据进行所述测定而得到的所述构成与所述相关关系，推定假设在与所述相关关系获取工序中的所述热氧化处理条件相同的条件下对作为形成所述热氧化膜的对象的半导体基板进行热氧化处理时的、形成于作为形成所述热氧化膜的对象的半导体基板表面的热氧化膜的厚度； 热氧化处理条件确定工序，其中，以所述相关关系获取工序中的所述热氧化处理条件为基准，以使形成于所述半导体基板表面的热氧化膜的厚度为规定厚度的方式确定热氧化处理条件；以及 热氧化膜形成工序，其中，在所述热氧化处理条件确定工序中所确定的热氧化处理条件下进行热氧化处理，从而在所述半导体基板表面形成热氧化膜， 所述规定厚度为1～10nm。

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