株式会社国际电气佐藤明博获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社国际电气申请的专利基板处理装置、隔热件组件及半导体装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114902384B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180007864.4，技术领域涉及：H01L21/31；该发明授权基板处理装置、隔热件组件及半导体装置的制造方法是由佐藤明博;西堂周平;笠松健太设计研发完成，并于2021-03-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本基板处理装置、隔热件组件及半导体装置的制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种结构，具备：基板保持件，其在下部具有隔热区域；第一反应管，其在内部收纳有基板保持件，上端及下端开口；第二反应管，其上端封闭且下端开口；炉口凸缘部，其在第一反应管与第二反应管之间的第一空间具有保持部；以及加热部，其以覆盖第二反应管的方式设置，且对载置于第一反应管内的基板保持件的基板进行加热，该结构还具备：第一高反射部件，其设置于隔热区域，红外线的反射率比隔热件高；以及第二高反射部件，其在第一空间内设置于第二反应管的下部且第二反应管的内壁，红外线的反射率比配置于炉口凸缘部的上端所设置的保持部的隔热件高。
本发明授权基板处理装置、隔热件组件及半导体装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种基板处理装置，其特征在于， 具备： 基板保持件，其在下部具有设有隔热件的隔热区域； 第一反应管，其在内部收纳有所述基板保持件，上端及下端开口； 第二反应管，其上端封闭且下端开口； 炉口凸缘部，其在所述第一反应管与所述第二反应管之间的第一空间具有保持部；以及 加热部，其以覆盖所述第二反应管的方式设置，且对载置于所述第一反应管内的所述基板保持件的基板进行加热， 该基板处理装置还具备： 第一高反射部件，其设置于所述隔热区域，红外线的反射率比所述隔热件高；以及 第二高反射部件，其在所述第一空间内设置于所述第二反应管的下部且所述第二反应管的内壁侧，红外线的反射率比配置于所述炉口凸缘部所设置的所述保持部的所述隔热件高。
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