深圳市博敏电子有限公司徐缓获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市博敏电子有限公司申请的专利一种微波铁氧体隔离器基板的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113097684B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110288883.0，技术领域涉及：H01P11/00；该发明授权一种微波铁氧体隔离器基板的制作方法是由徐缓;王强;张长明;邹冠生;周大伟;张贵华设计研发完成，并于2021-03-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种微波铁氧体隔离器基板的制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种微波铁氧体隔离器基板的制作方法，包括：磁控溅射镍铬铁合金靶材在铁氧体基片表面沉积形成打底层复合膜。本发明通过定制特定比例的镍铬铁合金靶材，以磁控溅射的方式完成镍铬铁复合膜在铁氧体基片上的淀积，此复合膜可实现与镀铜层一次混合蚀刻，与常规铬或镍铬打底蚀刻方式相比，省去了等离子蚀刻流程，简化了铁氧体隔离器基板的生产步骤，提高了铁氧体隔离器基板的加工效率。
本发明授权一种微波铁氧体隔离器基板的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种微波铁氧体隔离器基板的制作方法，其特征在于，包括： 按照质量比Ni:Cr:Fe=67:21:12制作镍铬铁合金靶材； 以内圆切割的方式，将铁氧体胚胎切成相应厚度的铁氧体基片，然后通过金刚石磨料对铁氧体基片进行精密抛光加工，接着以纯水为介质进行水抛以及采用扫频式复频超声波清洗； 磁控溅射氮化钽靶材在铁氧体基片表面沉积隔离电阻氮化钽薄膜，形成方阻阻值为48-50Ωsq的隔离电阻； 磁控溅射镍铬铁合金靶材在铁氧体基片表面沉积形成打底层复合膜；其中磁控溅射工艺参数为：N2:Ar=2:50，溅射功率300W，溅射时间15min，得到方阻阻值为48-50Ωsq的隔离电阻；同时在铁氧体基片的四个角落生成直径为0.5mm、真圆度达100%的氮化钽圆Pad作为定位，然后从铁氧体基片正面多次激光重复加工，形成直径为0.2mm，深度为0.4mm的通孔； 磁控溅射铜靶材，在铁氧体基片的打底层复合膜上形成一层铜膜，然后对铁氧体基片进行电镀铜，以使所述铜膜加厚到隔离器基板所需厚度。
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