台湾积体电路制造股份有限公司吕俊颉获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利存储器器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113380824B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110516759.5，技术领域涉及：H10B51/10；该发明授权存储器器件及其形成方法是由吕俊颉;杨世海;林佑明设计研发完成，并于2021-05-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器器件及其形成方法在说明书摘要公布了：一种形成三维3D存储器阵列的方法包括形成堆叠件，该堆叠件具有由介电层分离的碳基材料的多个导电层。在该堆叠件中的蚀刻沟槽将导电层分成导电条。所得结构包括水平导电条的二维阵列。可沿着每个条的长度分布存储器单元以提供3D阵列。该等导电条与可具有竖直或水平取向的附加导电结构一起允许对存储器单元进行单独寻址。用碳基材料形成该等导电层有助于将沟槽蚀刻成高纵横比。因此，形成碳基材料的导电层使存储器阵列能够具有更多层或具有更高的面积密度。本发明的实施例还公开了存储器器件及其形成方法。
本发明授权存储器器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器器件，包括： 三维存储器单元阵列，在金属互连结构中布置在两个相邻金属互连层之间，所述存储器单元中的每个包括源极侧、漏极侧、在所述源极侧与所述漏极侧之间延伸的沟道、栅极以及所述栅极与所述沟道之间的数据存储膜；以及 堆叠件阵列，每个堆叠件包括多个导电条和多个介电条，其中，所述导电条水平延伸以提供用于所述存储器单元中的多个的栅极； 其中，所述导电条包括碳基导电材料。
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