广东省大湾区集成电路与系统应用研究院;锐立平芯微电子(广州)有限责任公司苏炳熏获国家专利权
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龙图腾网获悉广东省大湾区集成电路与系统应用研究院;锐立平芯微电子(广州)有限责任公司申请的专利一种场效应晶体管效能提升方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115408974B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110586840.0，技术领域涉及：G06F30/373；该发明授权一种场效应晶体管效能提升方法是由苏炳熏;杨展悌;叶甜春;罗军;赵杰;薛静设计研发完成，并于2021-05-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种场效应晶体管效能提升方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种场效应晶体管效能提升方法，其结构设计简单合理，同时可提升效能，场效应晶体管放大电路结构，其包括源极、漏极、栅极、输入信号、输出信号，栅极通过电容Cgd串联电阻rd与漏极连接，栅极通过电容Cgs、电阻rs与源极连接，其还包括电阻gds，电阻gds与电阻rs串联，电容Cgd通过电阻gds、电阻rs与源极连接，输入信号从源极与漏极之间输入，输出信号从漏极与源极之间输出，场效应晶体管效能提升方法基于敏感度分析方法、场效应晶体管放大电路结构实现，包括获取关键工艺参数、分析关键工艺参数波动对电学参数的影响、依据电学参数的变化情况，对关键工艺参数进行改善。
本发明授权一种场效应晶体管效能提升方法在权利要求书中公布了：1.一种场效应晶体管效能提升方法，该方法基于机器学习的敏感度分析方法，并应用场效应晶体管放大电路结构实现，其特征在于，所述提升方法包括： 步骤一：基于所述场效应晶体管放大电路结构，获取影响所述场效应晶体管放大电路效能的电学参数，获取方式包括：调整所述场效应晶体管放大电路的输入信号的频率和幅度，对所述场效应晶体管放大电路的输出信号的频率进行控制，调整过程中，测量获取所述场效应晶体管放大电路结构中的相应元件的电压、电流、电容和或跨导； 步骤二：基于所述敏感度分析方法，分析场效应晶体管的工艺参数和所述电学参数的关联性，获取重要工艺参数； 步骤三：依据所述电压、电流、电容和或跨导的变化情况，对所述场效应晶体管的重要工艺参数进行改善，提升所述场效应晶体管的效能。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人广东省大湾区集成电路与系统应用研究院;锐立平芯微电子(广州)有限责任公司，其通讯地址为：510000 广东省广州市黄埔区开发区开源大道136号A栋；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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