台湾积体电路制造股份有限公司黄嘉铭获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件和形成半导体器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113363206B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110585243.6，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体器件和形成半导体器件的方法是由黄嘉铭;郑明达;李松柏;陈荣佑;管清华;李梓光设计研发完成，并于2021-05-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件和形成半导体器件的方法在说明书摘要公布了：方法包括在导电部件上方沉积第一钝化层，其中第一钝化层具有第一介电常数；在第一钝化层上方形成电容器；在电容器上方沉积第二钝化层，其中第二钝化层具有大于第一介电常数的第二介电常数。该方法还包括在电容器上方形成电连接到电容器的再分布线；在再分布线上方沉积第三钝化层；以及形成穿透第三钝化层以电连接至再分布线的凸块下金属UBM。本申请的实施例还涉及半导体器件和形成半导体器件的方法。
本发明授权半导体器件和形成半导体器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种形成半导体器件的方法，包括： 在导电部件上方沉积第一钝化层，其中，所述第一钝化层具有第一介电常数； 在所述第一钝化层上方形成电容器； 在所述电容器上方沉积第二钝化层，其中，所述第二钝化层具有大于所述第一介电常数的第二介电常数； 在所述电容器上方形成电连接到所述电容器的再分布线； 在所述再分布线上方沉积第三钝化层；以及 形成穿透所述第三钝化层以电连接至所述再分布线的凸块下金属UBM； 实施蚀刻工艺以蚀刻穿过所述第一钝化层和所述第二钝化层； 其中，沉积所述第二钝化层包括将相同的材料沉积为所述第一钝化层，其中，与所述第二钝化层相比，更多的致孔剂掺入所述第一钝化层。
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