旺宏电子股份有限公司丁榕泉获国家专利权
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龙图腾网获悉旺宏电子股份有限公司申请的专利存储器装置以及形成存储器装置的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115274681B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110676072.8，技术领域涉及：H10B43/35；该发明授权存储器装置以及形成存储器装置的方法是由丁榕泉;王世钰;陈绍岐设计研发完成，并于2021-06-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器装置以及形成存储器装置的方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种存储器装置以及形成存储器装置的方法。在一个方面中，半导体装置包含半导体基板、配置于半导体基板上的一或多个放电电路、导电耦接至一或多个放电电路的一或多个共同源极线CSL层以及具有配置于一或多个CSL层上的多个垂直通道中的存储器单元的三维3D阵列的存储器阵列。多个垂直通道中的每一垂直通道包含各别的存储器单元串，且一或多个CSL层中的每一CSL导电耦接至对应的存储器单元串。一或多个放电电路中的每一放电电路包含由穿过存储器阵列的一或多个对应导电线停用的一或多个晶体管。
本发明授权存储器装置以及形成存储器装置的方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，包括： 半导体基板； 一或多个放电电路，配置于所述半导体基板上； 一或多个共同源极线层，导电耦接至所述一或多个放电电路；以及 存储器阵列，具有配置于所述一或多个共同源极线层上的多个垂直通道中的存储器单元的三维阵列，所述多个垂直通道中的每一垂直通道包括各自的存储器单元串，所述一或多个共同源极线层中的每一共同源极线层导电耦接至对应的存储器单元串， 其中所述一或多个放电电路中的每一放电电路包括一或多个晶体管，所述一个或多个晶体管被配置为：在形成多个垂直通道期间使累积的电荷得以释放；在多个垂直通道形成之后，由穿过所述存储器阵列的一个或多个对应导电线停用。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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