汎铨科技股份有限公司柳纪纶获国家专利权
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龙图腾网获悉汎铨科技股份有限公司申请的专利一种故障分析用的半导体试片的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114520157B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110748741.8，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权一种故障分析用的半导体试片的制备方法是由柳纪纶;陈荣钦;张仕欣设计研发完成，并于2021-07-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种故障分析用的半导体试片的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种故障分析用的半导体试片的制备方法，藉由使用一种非挥发性、非液态且对介电材质具有较高黏着特性而对金属接触材料具有较低黏着特性的黏着材料所构成的黏着层，可大面积、高均匀度的选择性移除介电材料部分厚度，并完整保留金属接触材料，且不会与半导体样品产生化学反应或甚至破坏欲分析的结构，且可藉由选用不同的黏着层材料，控制与介电层的黏着度，进而可以控制移除介电层的厚度，故可提供一种适用于尺寸缩小化的故障分析用半导体试片。
本发明授权一种故障分析用的半导体试片的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种故障分析用的半导体试片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供一半导体样品，前述半导体样品包括一半导体组件、一金属接触层、一第一介电层、一导线层以及一第二介电层，其中前述金属接触层连接前述半导体组件，前述第一介电层覆盖前述半导体组件及前述金属接触层，前述导线层是形成于前述第一介电层上，且藉由连接前述金属接触层以电性连接前述半导体组件，且前述第二介电层是覆盖于前述导线层上； 对前述半导体样品施一研磨处理，以邻近前述金属接触层与前述导线层间的界面为研磨终点，逐渐研磨去除前述第二介电层及前述导线层； 形成一黏着层于研磨处理过的前述半导体样品表面，前述黏着层对前述第一介电层的附着力大于前述黏着层对前述金属接触层的附着力；以及 固化前述黏着层后，剥离前述黏着层，使部分前述第一介电层连同前述黏着层一起被剥除，并使部分前述金属接触层裸露出来。
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