台湾积体电路制造股份有限公司黄莉雯获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件、半导体图像传感器及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113594192B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110811899.5，技术领域涉及：H10F39/12；该发明授权半导体器件、半导体图像传感器及其制造方法是由黄莉雯;方俊霖;潘冠伶;林炳豪;李国政;吴振铭设计研发完成，并于2021-07-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件、半导体图像传感器及其制造方法在说明书摘要公布了：半导体器件包括：第一类型的光感测单元，其中，第一类型的光感测单元的每个示例可操作的以接收第一辐射量；以及第二类型的光感测单元，其中，第二类型的光感测单元的的每个示例可操作的以接收第二辐射量，并且将第二类型的光感测单元与第一类型的光感测单元布置在阵列中，以形成像素传感器。第一辐射量小于第二辐射量，并且第一类型的光感测单元的至少第一示例与第一类型的光感测单元的的第二示例相邻。本发明的实施例还涉及半导体图像传感器以及制造半导体器件的方法。
本发明授权半导体器件、半导体图像传感器及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 多个第一类型的光感测单元，其中，所述多个第一类型的光感测单元的每个可操作的以接收第一辐射量；以及 多个第二类型的光感测单元，其中，所述多个第二类型的光感测单元的每个可操作的以接收第二辐射量，并且将所述多个第二类型的光感测单元与所述多个第一类型的光感测单元布置在阵列中，以形成像素传感器， 多个第三类型的光感测单元，位于所述多个第一类型的光感测单元和所述多个第二类型的光感测单元之间，其中， 所述第一辐射量小于所述第二辐射量，以及 所述多个第一类型的光感测单元的第一示例的至少部分与所述多个第一类型的光感测单元的第二示例相邻， 其中，所述多个第一类型的光感测单元的所述第一示例、所述多个第二类型的光感测单元的第二示例和所述多个第三类型的光感测单元的第三示例构成像素传感器，并且所述多个第二类型的光感测单元的所述第二示例与所述多个第一类型的光感测单元的所述第一示例的投影区域比为3:1， 其中，所述多个第一类型的光感测单元由所述多个第二类型的光感测单元和所述多个第三类型的光感测单元围绕。
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