厦门乾照半导体科技有限公司江方获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门乾照半导体科技有限公司申请的专利一种微型发光二极管显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113707783B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110978753.X，技术领域涉及：H10H20/832；该发明授权一种微型发光二极管显示装置是由江方;冯妍雪;刘文军;柯志杰;艾国齐设计研发完成，并于2021-08-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种微型发光二极管显示装置在说明书摘要公布了：本发明提供了一种微型发光二极管显示装置，所述LED阵列单元通过交叉沟槽隔离形成于所述基板表面；所述绝缘层覆盖所有所述LED阵列单元及沟槽，且所述绝缘层具有裸露各所述LED阵列单元表面的缺口；所述共电极设置于所述LED阵列单元外围的基板表面；所述透明导电层沉积于所述缺口并延伸至所述绝缘层的表面，直接或间接地与所述共电极形成连接。基于上述结构，电子通过所述共电极引入后，通过所述透明导电层垂直注入所述第一型半导体层，使得流经LED阵列单元的电流无横向扩展损失，从而提高其出光效率。
本发明授权一种微型发光二极管显示装置在权利要求书中公布了：1.一种微型发光二极管显示装置，其特征在于，包括：基板、若干个LED阵列单元、绝缘层、透明导电层以及共电极； 其中，所述LED阵列单元通过交叉沟槽隔离形成于所述基板表面；所述绝缘层覆盖所有所述LED阵列单元及沟槽，且所述绝缘层具有裸露各所述LED阵列单元表面的缺口；所述共电极设置于所述LED阵列单元外围的基板表面；所述透明导电层沉积于所述缺口并延伸至所述绝缘层的表面，直接或间接地与所述共电极形成电连接； 所述LED阵列单元至少包括在所述基板表面依次堆叠的第一金属键合层、第二型半导体层、有源区及第一型半导体层； 其中，所述基板包括电路基板，其分别与共电极、第一金属键合层的极性匹配键合形成一体； 在各所述沟槽内设有填充层，使所述透明导电层从所述LED阵列单元的表面往所述填充层水平延伸后，直接或间接地与所述共电极形成电连接； 在所述沟槽内设有与所述共电极互连的格栅电极，且所述透明导电层与所述格栅电极形成电连接。
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