苏州英凡瑞得光电技术有限公司张秀娟获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州英凡瑞得光电技术有限公司申请的专利一种硅基红外上转换器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113690375B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111006508.9，技术领域涉及：H10K71/16；该发明授权一种硅基红外上转换器件及其制备方法是由张秀娟;揭建胜设计研发完成，并于2021-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种硅基红外上转换器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种硅基红外上转换器件及其制备方法。该制备方法包括如下步骤：利用包含醇和碱的溶液的湿刻蚀溶液刻蚀具有窗口阵列的单晶硅基底，以在所述单晶硅基底的窗口阵列上形成锥形微纳结构；利用共蒸镀法在所述锥形微纳结构的表面沉积二硒化钼薄层结构，并退火，获得二硒化钼和硅的异质结；在所述单晶硅基底的与所述窗口阵列所在表面相反的另一表面形成底电极，在所述二硒化钼和硅的异质结上依次形成有机发光层和顶电极，从而制备获得硅基红外上转换器件。本发明方案极大提高了硅基红外上转换器件的探测波段上限，最大可以将硅基红外上转换器件的探测波段上限从现有技术中的1.1μm提高至1.8μm。
本发明授权一种硅基红外上转换器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种硅基红外上转换器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 利用包含醇和碱的溶液的湿刻蚀溶液刻蚀具有窗口阵列的单晶硅基底，以在所述单晶硅基底的窗口阵列上形成锥形微纳结构； 利用共蒸镀法在所述锥形微纳结构的表面沉积二硒化钼薄层结构，并退火，获得二硒化钼和硅的异质结； 在所述单晶硅基底的与所述窗口阵列所在表面相反的另一表面形成底电极，在所述二硒化钼和硅的异质结上依次形成有机发光层和顶电极，从而制备获得硅基红外上转换器件; 所述锥形微纳结构由多个大、中、小锥形结构组成，且所述大、中、小锥形结构的比例分别为3-4:2-3:1。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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