联芯集成电路制造(厦门)有限公司周湘湘获国家专利权
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龙图腾网获悉联芯集成电路制造(厦门)有限公司申请的专利监测结构以及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113921502B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111060209.3，技术领域涉及：H01L23/544；该发明授权监测结构以及其制作方法是由周湘湘;王翔;何荣;顾海龙;黃清俊;谈文毅设计研发完成，并于2021-09-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本监测结构以及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种监测结构以及其制作方法，其中该监测结构包括基底、多个临界尺寸监测图案、多个电阻监测图案、第一虚置栅极结构以及第二虚置栅极结构。基底具有第一区与第二区。临界尺寸监测图案设置在基底的第一区上，而电阻监测图案设置在基底的第二区上。第一虚置栅极结构设置在基底的第一区上且在垂直方向上位于基底与临界尺寸监测图案之间。第二虚置栅极结构设置在基底的第二区上且在垂直方向上位于基底与电阻监测图案之间。
本发明授权监测结构以及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种监测结构，包括： 基底，具有第一区与第二区； 多个临界尺寸criticaldimension监测图案，设置在该基底的该第一区上； 多个电阻监测图案，设置在该基底的该第二区上； 第一虚置栅极结构，设置在该基底的该第一区上且在垂直方向上位于该基底与该多个临界尺寸监测图案之间； 第二虚置栅极结构，设置在该基底的该第二区上且在该垂直方向上位于该基底与该多个电阻监测图案之间；以及 多个虚置金属图案，设置该基底上，其中该多个虚置金属图案的一部分在该垂直方向上设置在该第一虚置栅极结构与该多个临界尺寸监测图案之间，且该多个虚置金属图案的另一部分在该垂直方向上设置在该第二虚置栅极结构与该多个电阻监测图案之间。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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