华东理工大学张斌获国家专利权
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龙图腾网获悉华东理工大学申请的专利用于生物突触模拟和神经形态计算的聚（硫族紫精-三苯胺）材料高分子忆阻器及其制备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114300617B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111080160.8，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权用于生物突触模拟和神经形态计算的聚（硫族紫精-三苯胺）材料高分子忆阻器及其制备是由张斌;赵智峥;郑庭安;陈彧设计研发完成，并于2021-09-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于生物突触模拟和神经形态计算的聚（硫族紫精-三苯胺）材料高分子忆阻器及其制备在说明书摘要公布了：本发明属于有机高分子信息存储器件领域，具体提供一种用于生物突触模拟和神经形态计算的聚硫族紫精‑三苯胺材料高分子忆阻器及其制备。该器件结构为经典的三明治结构，底电极为ITO，活性层为含有硫族元素S,Se,Te侨联的紫精和三苯胺氧化还原结构单元的PCVTPA薄膜包括PSVTPA,PSeVTPA,PTeVTPA，顶电极为Al。通过对该器件施加持续扫描的循环电压，其电流电压曲线表现出基于历史依赖的忆阻性能，可以用来模拟突触电位抑制、人类的学习和记忆功能，从短期突触可塑性到长期可塑性的过渡，而且还可以进行十进制的算术功能。
本发明授权用于生物突触模拟和神经形态计算的聚（硫族紫精-三苯胺）材料高分子忆阻器及其制备在权利要求书中公布了：1.用于生物突触模拟和或神经形态计算的聚硫族紫精-三苯胺材料高分子忆阻器，其特征在于：其活性层由硫族元素桥联的紫精和三苯胺聚合物聚合而成，所述高分子忆阻器的结构组成自下到上为： 1氧化铟锡电极ITO； 2活性层：高分子PCVTPA薄膜，所述高分子PCVTPA薄膜为PSVTPA，PSeVTPA或PTeVTPA； 3铝电极。
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