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龙图腾网获悉安徽大学;合肥市微电子研究院有限公司申请的专利一种在内存中实现迭代式异或计算的8T SRAM电路结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113921057B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111150160.0，技术领域涉及：G11C11/412；该发明授权一种在内存中实现迭代式异或计算的8T SRAM电路结构是由蔺智挺;汪方铭;吴秀龙;朱志国;彭春雨;卢文娟;赵强;陈军宁设计研发完成，并于2021-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种在内存中实现迭代式异或计算的8T SRAM电路结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种在内存中实现迭代式异或计算的8TSRAM电路结构，所述电路以8TSRAM单元为基本单元设置n行n列的内存单元，每个8TSRAM单元包括两个交叉耦合的反相器、一对数据传输管以及一对控制晶体管，数据传输管设置于交叉耦合的反相器左右两侧，每一侧各设置一个；控制晶体管设置于交叉耦合的反相器之间，上下各一个，上端控制晶体管的一端与左侧反相器的输出端连接，另一端与反相器中的右侧存储节点连接；下端控制晶体管的一端与右侧反相器的输出端连接，另一端与反相器中的左侧存储节点连接。该电路不仅能够实现多行数据的异或计算，也能实现多列数据的异或计算，打破了空间上对计算的限制，因此应用场景更加广泛。

本发明授权一种在内存中实现迭代式异或计算的8T SRAM电路结构在权利要求书中公布了：1.一种在内存中实现迭代式异或计算的8TSRAM电路结构，其特征在于，所述8TSRAM电路结构以8TSRAM单元为基本单元设置n行n列的内存单元，每个8TSRAM单元包括两个交叉耦合的反相器、一对数据传输管以及一对控制晶体管，其中： 一对数据传输管设置于交叉耦合的反相器左右两侧，每一侧各设置一个，其中： 左侧数据传输管的一端与左侧反相器中栅极连接，另一端连接行位线R_BL； 右侧数据传输管的一端与右侧反相器中栅极连接，另一端连接列位线C_BL； 一对控制晶体管设置于交叉耦合的反相器之间，上下各一个，其中： 上端控制晶体管的一端与左侧反相器的源漏极连接，另一端与右侧反相器中的栅极连接； 下端控制晶体管的一端与右侧反相器的源漏极连接，另一端与左侧反相器中的栅极连接； 在n行n列的内存单元中，同一行8TSRAM单元左侧的数据传输管均连接到同一个行字线R_WL，且上端控制晶体管均连接到同一个控制线Control_L，下端控制晶体管均连接到同一个控制线Control_R； 同一列8TSRAM单元右侧的数据传输管均连接到同一个列字线C_WL，且上端控制晶体管均连接到同一个控制线Control_L，下端控制晶体管均连接到同一个控制线Control_R。

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