格芯新加坡私人有限公司J·李获国家专利权
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龙图腾网获悉格芯新加坡私人有限公司申请的专利晶体管器件和形成晶体管器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114530485B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111157038.6，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权晶体管器件和形成晶体管器件的方法是由J·李;J·杰里约瑟夫;林启荣;L·彭;L·S·苏赛设计研发完成，并于2021-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶体管器件和形成晶体管器件的方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种晶体管器件和形成晶体管器件的方法。可以提供一种晶体管器件，其包括：衬底；布置在衬底之上的缓冲层；布置在缓冲层之上的源极端子、漏极端子和栅极端子；布置在缓冲层之上的阻挡层；以及布置在阻挡层之上的钝化层。栅极端子可以横向布置在源极端子和漏极端子之间，阻挡层可以包括横向位于栅极端子和漏极端子之间的凹部，栅极端子的一部分可以布置在钝化层之上，以及钝化层可以延伸到阻挡层的凹部中。
本发明授权晶体管器件和形成晶体管器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种晶体管器件，包括： 衬底； 布置在所述衬底之上的缓冲层； 布置在所述缓冲层之上的源极端子、漏极端子以及栅极端子；其中所述栅极端子横向布置在所述源极端子和所述漏极端子之间，其中所述源极端子和所述漏极端子直接布置在所述缓冲层上； 布置在所述缓冲层之上的阻挡层；其中所述阻挡层包括横向位于所述栅极端子和所述漏极端子之间的凹部，其中所述阻挡层横向设置在所述源极端子和所述漏极端子之间；以及 布置在所述阻挡层之上的钝化层，其中所述栅极端子的一部分布置在所述钝化层之上；并且其中所述钝化层延伸到所述阻挡层的所述凹部中，所述钝化层与所述阻挡层竖直且水平地重叠， 其中，所述阻挡层包括： 第一阻挡部分； 第二阻挡部分；以及 横向布置在所述第一阻挡部分和所述第二阻挡部分之间的间隙， 其中，所述栅极端子的部分延伸到所述阻挡层的所述间隙中，以使得所述第一阻挡部分横向布置在所述源极端子和所述栅极端子的所述部分之间，以及所述第二阻挡部分横向布置在所述漏极端子和所述栅极端子的所述部分之间，以及 其中，所述凹部布置在所述第二阻挡部分内并且横向邻近所述栅极端子的所述部分来布置，以及所述栅极端子的另一部分设置在所述凹部之上以与所述凹部重叠。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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