夏普半导体创新株式会社宇宿孝则获国家专利权
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龙图腾网获悉夏普半导体创新株式会社申请的专利固态拍摄装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114566511B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202111315040.1,技术领域涉及:H10F39/12;该发明授权固态拍摄装置是由宇宿孝则设计研发完成,并于2021-11-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本固态拍摄装置在说明书摘要公布了:固态拍摄装置具备:光电转换区域,其配置于外延层的内部;电荷保持区域,其在比光电转换区域靠光的入射侧配置;挖出区域,其从外延层的表面朝向光电转换区域挖出;以及遮光膜,其覆盖电荷保持区域并在挖出区域的侧壁延伸。
本发明授权固态拍摄装置在权利要求书中公布了:1.一种固态拍摄装置,在基板以矩阵状排列有多个像素,所述固态拍摄装置的特征在于, 所述多个像素分别具备: 光电转换区域,其为了将入射至所述基板的光转换为电荷而配置于所述基板的内部; 电荷保持区域,其为了对由所述光电转换区域转换后的电荷进行保持而在所述基板的内部的比所述光电转换区域靠所述光的入射侧配置; 挖出区域,其从所述基板的所述光的入射侧的表面朝向所述光电转换区域至少挖出至与所述电荷保持区域对应的深度;以及 遮光膜,其形成为覆盖所述电荷保持区域的所述基板的所述表面侧并在所述挖出区域的侧壁延伸, 所述光电转换区域从所述挖出区域的下侧延伸到所述电荷保持区域的下侧而形成,并具有朝向所述电荷保持区域突出的突出部分。
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