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龙图腾网获悉北京大学深圳研究生院申请的专利一种非对称增强的平面电极交流电致发光器件及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114300629B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111375635.6，技术领域涉及：H10K50/125；该发明授权一种非对称增强的平面电极交流电致发光器件及其应用是由孟鸿;杨标;纪君朋;赵长斌;蔡雨露设计研发完成，并于2021-11-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种非对称增强的平面电极交流电致发光器件及其应用在说明书摘要公布了：本发明涉及一种非对称增强的平面电极交流电致发光器件及其应用。所述非对称增强的平面电极交流电致发光器件，自下而上依次包括：基底、电极、发光有源层、低阻抗桥层；其中，所述电极包括间隔设置于所述基底上的电极A和电极B，所述发光有源层包括覆盖所述电极A的发光有源层A和覆盖所述电极B的发光有源层B，所述发光有源层A和所述发光有源层B的阻抗不同，所述低阻抗桥层的阻抗要远小于发光有源层。该结构器件不仅可以保留平面电极交流电致发光器件结构的特性，同时解决了现有平面电极交流电致发光器件驱动电压高，图案化集成化难的问题。该器件只需调整电极图案就可以很方便的制成信息加密器件或智能、可穿戴显示器件。

本发明授权一种非对称增强的平面电极交流电致发光器件及其应用在权利要求书中公布了：1.一种非对称增强的平面电极交流电致发光器件，其特征在于，包括：基底、形成于所述基底上的电极、形成于所述电极上和所述电极未覆盖基底上的发光有源层、形成于所述发光有源层上的低阻抗桥层；其中，所述电极包括电极A和电极B，所述电极A和电极B间隔形成于所述基底上，所述电极A上表面的面积和所述电极B上表面的面积不同； 所述电极A和电极B的间隔距离为10nm-10m； 所述低阻抗桥层的厚度为50nm-10cm； 所述非对称增强的平面电极交流电致发光器件的制备步骤如下： 提供表面含有ITO电极的玻璃基板，用激光对ITO电极刻蚀，形成一系列不同相对面积的平面电极A和B； 用去离子水、乙醇以及异丙醇依次对电极进行清洗，最后用氮气吹干电极并用等离子体处理五分钟； 各称取1g商用的ZnS:Cu磷光粉和BaTiO3粉末加入到1g的Ecoflex0030A组分中，随后搅拌10分钟直至粉末与Ecoflex0030A组分混合均匀，随后在均匀的混合的体系中加入Ecoflex0030B组分，搅拌直至形成均匀的浆料； 将均匀的浆料刮涂到一系列不同相对面积平面电极A和B上，厚度约为50um，刮涂完成后，在室温下交联固化3个小时，得到发光有源层； 最后在发光有源层上刮涂一层商用的银浆作为低阻抗桥层。

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