北京北方华创微电子装备有限公司闫晓腾获国家专利权
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龙图腾网获悉北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利半导体工艺炉获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114156205B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111401340.1，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权半导体工艺炉是由闫晓腾;杨帅;杨慧萍设计研发完成，并于2021-11-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体工艺炉在说明书摘要公布了：本申请公开一种半导体工艺炉，其包括炉管和送气组件，所述送气组件包括：进气管、多个送气管和多个环状匀流件，所述进气管一端设有进气口，多个所述送气管的一端均与所述进气管的另一端连通，各所述送气管的另一端均设有送气口，多个所述送气口沿所述炉管的轴向间隔设置；各所述环状匀流件均设置于所述炉管的内部，且沿所述炉管的轴向间隔设置，所述环状匀流件内设置有匀流腔，其上间隔分布有多个匀流孔，多个所述送气口与多个所述环状匀流件的所述匀流腔一一对应地连通。上述半导体工艺炉能够解决因目前工艺炉中工艺气体分布不均匀导致部分晶圆的工艺效果较差的问题。
本发明授权半导体工艺炉在权利要求书中公布了：1.一种半导体工艺炉，其特征在于，包括炉管和送气组件，其中，所述送气组件包括： 进气管、多个送气管和多个环状匀流件，所述进气管一端设有进气口，各所述送气管均设置在所述炉管的外壁上，且沿所述炉管的轴向延伸，多个所述送气管的一端均与所述进气管的另一端连通，各所述送气管的另一端均设有送气口，多个所述送气口沿所述炉管的轴向间隔设置，并且多个所述送气口与所述进气口之间的距离不同；各所述环状匀流件均设置于所述炉管的内部，且沿所述炉管的轴向间隔设置，所述环状匀流件内设置有匀流腔，其上间隔分布有多个匀流孔，多个所述送气口与多个所述环状匀流件的所述匀流腔一一对应地连通。
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