上海华力集成电路制造有限公司翁文寅获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利半导体器件制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114121804B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111390453.6，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权半导体器件制造方法是由翁文寅设计研发完成，并于2021-11-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括如下步骤：步骤S1,完成接触孔的开口刻蚀之前的工艺，所形成的器件结构包括：形成于半导体衬底表面上的栅极结构；覆盖在源区、漏区和所述栅极结构上形成有氧化层，所述氧化层上形成有图形化的第一硬掩膜层；所述氧化层下方形成有TEOS氧化层；步骤S2,光刻定义出所述接触孔的形成区域，步骤S3,采用离子注入工艺在所述开口的底部区域的所述嵌入式外延层表面形成掺杂层。本发明解决了因刻蚀工艺而对外延层产生的损耗，提高所述嵌入式外延层的体积和顶部掺杂浓度，从而提高器件的源漏接触电阻以及沟道导通电阻。
本发明授权半导体器件制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件制造方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤S1,完成接触孔的开口刻蚀之前的工艺，所形成的器件结构包括： 形成于半导体衬底表面上的栅极结构； 在所述栅极结构两侧的所述半导体衬底中形成有嵌入式外延层；所述嵌入式外延层中形成有源区和漏区； 覆盖在源区、漏区和所述栅极结构上形成有氧化层，所述氧化层上形成有图形化的第一硬掩膜层；所述氧化层下方形成有TEOS氧化层； 步骤S2,光刻定义出所述接触孔的形成区域，对所述第一硬掩膜层进行刻蚀形成穿过所述氧化层和TEOS氧化层的所述接触孔的开口；所述开口将底部的所述嵌入式外延层暴露出来； 步骤S3,采用离子注入工艺在所述开口的底部区域的所述嵌入式外延层表面形成掺杂层，沟道区形成在所述嵌入式外延层之间的所述半导体衬底中，所述嵌入式硅外延层对所述沟道区产生拉应力，所述掺杂层增加对所述沟道区的拉应力。
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