绍兴同芯成集成电路有限公司严立巍获国家专利权
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龙图腾网获悉绍兴同芯成集成电路有限公司申请的专利一种缓坡状晶圆制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114300407B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111413453.3，技术领域涉及：H01L21/683；该发明授权一种缓坡状晶圆制备方法是由严立巍;符德荣;李景贤设计研发完成，并于2021-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种缓坡状晶圆制备方法在说明书摘要公布了：本发明提出了一种缓坡状晶圆制备方法，包括：S100，将缓坡状晶圆放置于第一载板的凹槽中，使缓坡状晶圆的背面朝上，完成晶圆背面离子注入及高温回火工艺后，在所述缓坡状晶圆的背面制备金属层；S200，在所述缓坡状晶圆背面制备第一聚亚酰胺层，使所述缓坡状晶圆背面达到预设平整度；S300，翻转所述第一载板，将所述缓坡状晶圆转移至第二载板，使所述缓坡状晶圆的正面朝上；S400，在所述缓坡状晶圆的正面完成晶圆正面金属器件和第二聚亚酰胺层的制备，所述第二聚亚酰胺的镂空区域对应切割道位置；S500，对照所述切割道位置，进行所述缓坡状晶圆的切割。根据本发明提供的缓坡状晶圆制备方法，提高了对缓坡状晶圆进行加工的稳定性和良品率。
本发明授权一种缓坡状晶圆制备方法在权利要求书中公布了：1.一种缓坡状晶圆制备方法，其特征在于，包括： S100，将缓坡状晶圆放置于第一载板的凹槽中，使缓坡状晶圆的背面朝上，完成晶圆背面离子注入及高温回火工艺后，在所述缓坡状晶圆的背面制备金属层； S200，在所述缓坡状晶圆背面制备第一聚亚酰胺层，使所述缓坡状晶圆背面达到预设平整度； S300，翻转所述第一载板，将所述缓坡状晶圆转移至第二载板，使所述缓坡状晶圆的正面朝上； S400，在所述缓坡状晶圆的正面完成晶圆正面金属器件和第二聚亚酰胺层的制备，所述缓坡状晶圆通过第二聚亚酰胺层固定于第二载板，所述第二聚亚酰胺层的镂空区域对应切割道位置； S500，对照所述切割道位置，进行所述缓坡状晶圆的切割； S600，将切割后的所述缓坡状晶圆的正面贴附至第一切割模框； S700，去除所述缓坡状晶圆背面的第一聚亚酰胺层。
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