成都辰显光电有限公司高文龙获国家专利权
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龙图腾网获悉成都辰显光电有限公司申请的专利转移基板、转移基板的制备方法及转移方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116190298B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111436038.X，技术领域涉及：H01L21/683；该发明授权转移基板、转移基板的制备方法及转移方法是由高文龙;盛翠翠;董小彪;李蒙蒙;林佳桦;葛泳设计研发完成，并于2021-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本转移基板、转移基板的制备方法及转移方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种转移基板、转移基板的制备方法及转移方法。本申请第一方面提供一种转移基板，用于将发光二极管芯片从生长基底转移至驱动背板，包括：衬底；牺牲层，设置于衬底；芯片转移层，设置于牺牲层背向衬底的一侧，芯片转移层包括层叠设置的芯片层以及配重层，其中，芯片层包括多个间隔排布的发光二极管芯片，配重层包括多个间隔排布的配重部，配重部与发光二极管芯片一一对应接触设置，配重部用于随发光二极管芯片一同转移转移至驱动背板。配重部的设置提高发光二极管芯片的转移精度。
本发明授权转移基板、转移基板的制备方法及转移方法在权利要求书中公布了：1.一种转移基板，用于将发光二极管芯片从生长基底转移至驱动背板，其特征在于，包括： 衬底； 牺牲层，设置于所述衬底； 芯片转移层，设置于所述牺牲层背向所述衬底的一侧，所述芯片转移层包括层叠设置的芯片层以及配重层， 其中，所述芯片层包括多个间隔排布的所述发光二极管芯片，所述配重层包括多个间隔排布的配重部，所述配重部与所述发光二极管芯片一一对应接触设置，所述配重部用于随所述发光二极管芯片一同转移至所述驱动背板； 所述配重层与所述牺牲层层叠接触设置，所述发光二极管芯片设置于所述配重部背向所述牺牲层的一侧，所述配重部的重心位置至所述配重部与所述发光二极管芯片的接触面的垂直距离K1小于或等于所述配重部的重心位置至所述配重部与所述牺牲层的接触面的垂直距离K2；或者，所述芯片层与所述牺牲层层叠接触设置，所述配重部设置于所述发光二极管芯片背向所述牺牲层的一侧。
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