江南大学于平平获国家专利权
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龙图腾网获悉江南大学申请的专利一种导电高分子/硒化锑异质结及其制备方法与光电应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114141956B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111431153.8，技术领域涉及：H10K71/16；该发明授权一种导电高分子/硒化锑异质结及其制备方法与光电应用是由于平平;陈荣鹏;郑天旭;姜岩峰设计研发完成，并于2021-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种导电高分子/硒化锑异质结及其制备方法与光电应用在说明书摘要公布了：发明提供了一种导电高分子硒化锑异质结及其制备方法与光电应用，属于半导体纳米材料技术领域。本发明以金属盐混合Sb2Se3作为前驱体，以云母或硅片作为载体，通过化学气相沉淀法制备超薄Sb2Se3纳米三角片；然后采用PMMA辅助转移法将超薄Sb2Se3纳米三角片转移至衬底；最后使用标准旋涂法制备导电高分子硒化锑异质结。所述导电高分子硒化锑异质结，借由导电高分子的可调节带隙，可以获得更高质量的异质结型光电探测器。
本发明授权一种导电高分子/硒化锑异质结及其制备方法与光电应用在权利要求书中公布了：1.一种导电高分子硒化锑异质结的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 1将金属盐与Sb2Se3混合作为前驱体，采用化学气相沉淀法制备得到Sb2Se3纳米三角片； 2采用PMMA辅助转移法将Sb2Se3纳米三角片转移至衬底，将导电高分子涂覆于负载在衬底上的Sb2Se3纳米三角片的表层，得到所述导电高分子硒化锑异质结； 所述导电高分子为聚苯胺、聚吡咯或聚噻吩。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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