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龙图腾网获悉北京通美晶体技术股份有限公司申请的专利测量位错密度的方法和位错密度计数装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114119590B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111462912.7，技术领域涉及：G06T7/00；该发明授权测量位错密度的方法和位错密度计数装置是由王志珍;王元立;高伟设计研发完成，并于2021-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本测量位错密度的方法和位错密度计数装置在说明书摘要公布了：本发明涉及一种测量位错密度的方法，该方法包括：获取测量对象的图像；根据预设的腐蚀坑筛选条件，检测所获取的图像中的腐蚀坑，并且统计计算所获取的图像中的单一腐蚀坑的平均面积值S0以及平均边界矩形长短边比R0；对所获取的图像中的黑色形状进行轮廓检测，以获得所述黑色形状的轮廓面积S以及边界矩形长短边比R；基于所述黑色形状的轮廓面积S以及边界矩形长短边比R与所述平均面积值S0以及所述平均边界矩形长短边比R0的关系，确定所述黑色形状的腐蚀坑数目；以及基于所获取的图像中的腐蚀坑的总数目和所获取的图像的总面积，计算所述测量对象的位错密度。本发明还涉及一种位错密度计数装置和一种非暂时性计算机可读介质。

本发明授权测量位错密度的方法和位错密度计数装置在权利要求书中公布了：1.一种测量位错密度的方法，该方法包括： 获取测量对象的图像； 根据预设的腐蚀坑筛选条件，检测所获取的图像中的腐蚀坑，并且统计计算所获取的图像中的单一腐蚀坑的平均面积值S0以及平均边界矩形长短边比R0； 对所获取的图像中的黑色形状进行轮廓检测，获得所述黑色形状的轮廓面积S以及边界矩形长短边比R； 基于所述黑色形状的轮廓面积S以及边界矩形长短边比R与所述平均面积值S0以及所述平均边界矩形长短边比R0的关系，确定所述黑色形状的腐蚀坑数目，以确定所获取的图像中的腐蚀坑的总数目；以及 基于所获取的图像中的腐蚀坑的总数目和所获取的图像的总面积，计算所述测量对象的位错密度； 其中确定所述黑色形状的腐蚀坑数目的步骤包括： 当且时，则将所述黑色形状的腐蚀坑数目记为1，其中k10和k11为单个腐蚀坑过滤系数； 当且时，则将所述黑色形状的腐蚀坑数目记为2，其中k21为两个重叠腐蚀坑过滤系数；并且 当且时，则将所述黑色形状的腐蚀坑数目记为3，其中k31为三个重叠腐蚀坑过滤系数。

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