买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉北京超弦存储器研究院;中国科学院微电子研究所申请的专利一种垂直MOSFET器件及其制造方法、应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114420751B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111479807.4，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权一种垂直MOSFET器件及其制造方法、应用是由陈卓;朱慧珑设计研发完成，并于2021-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种垂直MOSFET器件及其制造方法、应用在说明书摘要公布了：本发明涉及一种垂直MOSFET器件及其制造方法、应用。方法包括：衬底上形成由下至上垂直堆叠的第一硅层、第一锗硅层、第二锗硅层、第三锗硅层、第二硅层；其中，第一锗硅层和第三锗硅层中锗的摩尔含量都大于第二锗硅层中锗的含量；刻蚀形成纳米堆叠结构；选择性刻蚀第一锗硅层和第三锗硅层，从而形成第一凹槽、第三凹槽；在第一凹槽、第三凹槽内形成扩展区内侧墙；选择性刻蚀第二锗硅层，形成栅极凹槽；在栅极凹槽内形成假栅；形成源漏极；形成具有浅沟槽隔离层的有源区；去除假栅，形成栅介质层、栅极。本发明能够很好的控制沟道尺寸、扩展区内侧墙尺寸、栅极尺寸等，并且在纳米片或纳米线结构中都适用。

本发明授权一种垂直MOSFET器件及其制造方法、应用在权利要求书中公布了：1.一种垂直MOSFET器件的制造方法，其特征在于，包括下列步骤： 提供衬底； 在所述衬底上形成由下至上垂直堆叠的第一硅层、第一锗硅层、第二锗硅层、第三锗硅层、第二硅层；其中，所述第一锗硅层和第三锗硅层中锗的摩尔含量都大于所述第二锗硅层中锗的含量； 刻蚀所述第一硅层、第一锗硅层、第二锗硅层、第三锗硅层、第二硅层，形成纳米堆叠结构； 选择性刻蚀纳米堆叠结构中的第一锗硅层和第三锗硅层，从而在第一锗硅层和第三锗硅层的侧壁处分别形成第一凹槽、第三凹槽； 在所述第一凹槽、第三凹槽内形成扩展区内侧墙；在所述纳米堆叠结构的侧壁形成扩展区内侧墙的侧墙保护层； 选择性刻蚀第二锗硅层，使第二锗硅层的侧壁处形成栅极凹槽； 在所述栅极凹槽内形成假栅； 对所述第一硅层和第二硅层分别进行掺杂，形成源漏极； 刻蚀衬底、沉积介质材料，以形成具有浅沟槽隔离层的有源区； 去除有源区内的假栅，具体包括刻蚀侧墙保护层至所述浅沟槽隔离层与所述第一硅层之间残留部分侧墙保护层材料； 然后在所述栅极凹槽内形成栅堆叠层的替代栅，其中，所述替代栅按照堆叠顺序包括栅介质层、栅极； 进行后续工艺。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京超弦存储器研究院;中国科学院微电子研究所，其通讯地址为：100176 北京市大兴区经济技术开发区科创十街18号京东贝科技园11号楼4层；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。