武汉华星光电技术有限公司郭一宇获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉华星光电技术有限公司申请的专利阵列基板和显示面板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114256274B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111539804.5，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权阵列基板和显示面板是由郭一宇设计研发完成，并于2021-12-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本阵列基板和显示面板在说明书摘要公布了：本申请公开了一种阵列基板及显示面板，阵列基板包括衬底和多个晶体管，每一晶体管设置于衬底上；其中，每一晶体管均包括有源部、绝缘部和第一栅极，有源部设置于衬底上，有源部包括至少一个半导体部和与半导体部连接且在第一方向上凸出于半导体部的至少一个外延尖角部，在第一方向上，外延尖角部位于半导体部的一侧，绝缘部设置于有源部上，且覆盖有源部，第一栅极设置于绝缘部上，且第一栅极位于半导体部和外延尖角部之上，第一栅极沿第一方向延伸。在本申请中，在第一方向上，通过将有源部的外延尖角部外移，使得外延尖角不参与半导体部工作的电流减小或得到抑制，避免因开启电压的不同造成驼峰效应，进而提高阵列基板的性能。
本发明授权阵列基板和显示面板在权利要求书中公布了：1.一种阵列基板，其特征在于，包括： 衬底； 多个晶体管，每一所述晶体管设置于所述衬底上；其中，每一所述晶体管均包括： 有源部，所述有源部设置于所述衬底上，所述有源部包括半导体部和与所述半导体部连接且在第一方向上凸出于所述半导体部的至少一个外延尖角部，在所述第一方向上，所述外延尖角部位于所述半导体部的一侧； 绝缘部，所述绝缘部设置于所述有源部上，且覆盖所述有源部； 第一栅极，所述第一栅极设置于所述绝缘部上，且所述第一栅极位于所述半导体部和所述外延尖角部之上，所述第一栅极沿所述第一方向延伸； 所述阵列基板还包括第二栅极，所述第二栅极与所述第一栅极间隔设置于所述绝缘部上，且所述第二栅极位于所述半导体部和所述外延尖角部之上，所述第二栅极沿着所述第一方向延伸，所述第一栅极与所述第二栅极串联、独立或者并联。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人武汉华星光电技术有限公司，其通讯地址为：430079 湖北省武汉市东湖开发区高新大道666号生物城C5栋；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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