长江存储科技有限责任公司贾信磊获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利半导体结构及其制备方法、存储器、存储系统、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114284287B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111582596.7，技术领域涉及：H10B43/35；该发明授权半导体结构及其制备方法、存储器、存储系统、电子设备是由贾信磊;贾建权;周稳;游开开;韩佳茵;徐盼;杨琨;靳磊设计研发完成，并于2021-12-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制备方法、存储器、存储系统、电子设备在说明书摘要公布了：本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、存储器、存储系统、电子设备，涉及半导体芯片技术领域，以降低存储单元之间的相互干扰，提高器件性能。半导体结构包括堆叠层、沟道结构和多个第二介质层。堆叠层包括交替叠置的多个第一介质层和多个栅极层。沟道结构贯穿堆叠层；第一介质层靠近沟道结构的边界，相较于栅极层靠近沟道结构的边界内缩。沿平行于堆叠层所在平面的方向，第二介质层位于第一介质层与沟道结构之间；沿垂直于堆叠层的所在平面的方向，第二介质层位于相邻的两个栅极层之间，第二介质层的介电常数小于第一介质层的介电常数。上述半导体结构应用于存储器中，以实现数据的读取和写入操作。
本发明授权半导体结构及其制备方法、存储器、存储系统、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 堆叠层，包括交替叠置的多个第一介质层和多个栅极层； 沟道结构，贯穿所述堆叠层；所述第一介质层靠近所述沟道结构的边界，相较于所述栅极层靠近所述沟道结构的边界内缩； 多个第二介质层，沿平行于所述堆叠层所在平面的方向，所述第二介质层位于所述第一介质层与所述沟道结构之间；沿垂直于所述堆叠层的所在平面的方向，所述第二介质层位于相邻的两个所述栅极层之间，所述第二介质层的介电常数小于所述第一介质层的介电常数。
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