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龙图腾网获悉日亚化学工业株式会社申请的专利氮化物半导体发光元件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114664986B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111587978.9，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权氮化物半导体发光元件及其制造方法是由安倍弘喜;山下智也;打田贤司设计研发完成，并于2021-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本氮化物半导体发光元件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种发光效率高的氮化物半导体发光元件。多个势垒层中位于第一势阱层之间的至少一个势垒层和多个势垒层中位于第二势阱层之间的至少一个势垒层包含含有n型杂质的第一势垒层、和含有n型杂质浓度比第一势垒层低的n型杂质且位于比第一势垒层靠p侧氮化物半导体层侧的第二势垒层，位于第一势阱层之间的第一势垒层的n型杂质浓度比位于第二势阱层之间的第一势垒层的n型杂质浓度高，多个势垒层中位于第一势阱层之间的势垒层的第一势垒层的n型杂质浓度和第二势垒层的n型杂质浓度之差比多个势垒层中位于第二势阱层之间的势垒层的第一势垒层的n型杂质浓度和第二势垒层的n型杂质浓度之差大。

本发明授权氮化物半导体发光元件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种氮化物半导体发光元件，包含n侧氮化物半导体层、p侧氮化物半导体层、设置于所述n侧氮化物半导体层和所述p侧氮化物半导体层之间的活性层，其中， 所述活性层具有包含势阱层和势垒层的多个层叠部， 所述势阱层包含多个第一势阱层、和位于比多个所述第一势阱层靠所述p侧氮化物半导体层侧的多个第二势阱层， 多个所述势垒层中位于所述第一势阱层之间的至少一个所述势垒层、和多个所述势垒层中位于所述第二势阱层之间的至少一个所述势垒层包含含有n型杂质的第一势垒层、和含有n型杂质浓度比所述第一势垒层低的n型杂质且位于比所述第一势垒层靠所述p侧氮化物半导体层侧的第二势垒层， 位于所述第一势阱层之间的所述第一势垒层的n型杂质浓度比位于所述第二势阱层之间的所述第一势垒层的n型杂质浓度高， 多个所述势垒层中位于所述第一势阱层之间的所述势垒层中的所述第一势垒层的n型杂质浓度和所述第二势垒层的n型杂质浓度之差比多个所述势垒层中位于所述第二势阱层之间的所述势垒层中的所述第一势垒层的n型杂质浓度和所述第二势垒层的n型杂质浓度之差大， 位于所述第二势阱层之间的所述第二势垒层含有n型杂质，位于所述第一势阱层之间的所述第二势垒层的n型杂质的浓度低于位于所述第二势阱层之间的所述第二势垒层的n型杂质的浓度。

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