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龙图腾网获悉富芯微电子有限公司申请的专利一种镀膜前AL制品去胶清洗的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114256062B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111596776.0，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权一种镀膜前AL制品去胶清洗的方法是由修洋;何孝鑫;李书梦;吕毛串;张尼尼;顾凯设计研发完成，并于2021-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种镀膜前AL制品去胶清洗的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种镀膜前AL制品去胶清洗的方法，包括以下步骤：步骤一，准备带有残胶液的半导体芯片制品，将制品转移至花篮中；步骤二，准备石英缸将有机溶剂导入石英缸中；步骤三，将装有残胶芯片的花篮转移至有机清洗溶剂中，进行去胶清洗；步骤四，通过工装夹具将去胶后装有芯片的花篮转移到下个槽体中进行上道残液清洗；步骤五，通过工装夹具将花篮转移至去离子水中进行循环冲洗，清洗上道残液及颗粒。本发明改善了传统贴膜保护正面金属的方式，在蒸镀前进行去胶清洗要求且要保护正面金属的方式时；增加了芯片镀膜前清洗的方式，该方法清洗的芯片满足客户要求且价格成本低廉，具有优良的综合性应用。

本发明授权一种镀膜前AL制品去胶清洗的方法在权利要求书中公布了：1.一种镀膜前Al制品去胶清洗的方法，其特征在于，包括以下步骤: 步骤1：将装有待洗的半导体芯片放入到装有三氯乙烯的有机槽内进行清洗；然后，转移到下个装有三氯乙烯的有机槽内进行清洗； 步骤2：将三氯乙烯清洗后的半导体芯片转移到装有乙醇的有机槽进行清洗，然后，转移到下个装有乙醇的有机槽内进行清洗； 步骤3、将半导体芯片放入到离子水槽中进行清洗； 步骤1和步骤2的清洗方式为：控制第一驱动电机9工作，带动转轴26转动，通过转轴26的四个锥齿轮，使得四个连接轴10同时进行转动，带动四个花篮7同时转动，对半导体芯片进行旋转清洗； 转轴26在转动的同时，通过位于中部的锥齿轮带动螺杆29进行转动，使得移动块31沿着固定筒30向上移动，使得与连接架8相连的花篮7向下运动到对应的清洗缸21内进行清洗； 当移动块31从固定筒30的底部移动到固定筒30的顶部，再使得移动块31从固定筒30的顶部移动到固定筒30的底部，为在对应的有机槽内完成清洗周期； 当完成一个清洗周期，通过控制移动盘3进行移动，将下一个的有机槽移动到花篮7的正下方进行旋转清洗，依次完成对半导体芯片进行两次三氯乙烯清洗、两次乙醇清洗和一次去离子水清洗。

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