广东省科学院半导体研究所胡诗犇获国家专利权
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龙图腾网获悉广东省科学院半导体研究所申请的专利薄膜晶体管、薄膜晶体管的制备方法和显示器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114284362B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111611837.6，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权薄膜晶体管、薄膜晶体管的制备方法和显示器件是由胡诗犇;龚政;庞超;李育智;郭婵;王建太;潘章旭;邹胜晗;赵维;陈志涛设计研发完成，并于2021-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本薄膜晶体管、薄膜晶体管的制备方法和显示器件在说明书摘要公布了：本发明的实施例提供了一种薄膜晶体管、薄膜晶体管的制备方法和显示器件，涉及半导体电子器件领域，该薄膜晶体管及其制备方法在衬底上依次设置栅极、栅绝缘层和半导体层，然后在半导体层的两侧设置源极和漏极，并在半导体层上设置包覆在源极和漏极的钝化层，其中，源极与半导体层的接触界面形成有第一绝缘界面层，在漏极和半导体层的接触界面形成有第二绝缘界面层，通过设置第一绝缘界面层和第二绝缘界面层，能够使得源漏极与半导体层之间形成肖特基势垒，从而形成了肖特基势垒TFT，同时无需额外沉积绝缘层，使得器件成本低廉、可靠性好，并通过形成肖特基势垒能够大幅降低饱和电压，从而减少TFT的工作能耗。
本发明授权薄膜晶体管、薄膜晶体管的制备方法和显示器件在权利要求书中公布了：1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括： 衬底； 设置在所述衬底上的栅极； 设置在所述衬底上，并包覆所述栅极的栅绝缘层； 设置在所述栅绝缘层上的半导体层； 设置在所述栅绝缘层上，并位于所述半导体层两侧的源极和漏极； 以及，设置在所述半导体层上，并包覆所述源极和所述漏极的钝化层； 其中，所述源极和所述半导体层的接触界面形成有第一绝缘界面层，以使所述源极和所述半导体层之间形成肖特基势垒；所述漏极和所述半导体层的接触界面形成有第二绝缘界面层，以使所述漏极和所述半导体层的接触界面形成肖特基势垒； 所述源极和所述漏极均为金属薄膜层，所述金属薄膜层用于与所述半导体层在退火时发生化学反应，并形成所述第一绝缘界面层和第二绝缘界面层； 其中，所述第一绝缘界面层由所述源极与所述半导体层直接反应形成，所述第二绝缘界面层由所述漏极与所述半导体层直接反应形成。
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