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龙图腾网获悉绍兴同芯成集成电路有限公司申请的专利一种利用载盘进行SiC晶圆加工的工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114300344B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111640258.4，技术领域涉及：H01L21/04；该发明授权一种利用载盘进行SiC晶圆加工的工艺是由严立巍;符德荣;陈政勋设计研发完成，并于2021-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种利用载盘进行SiC晶圆加工的工艺在说明书摘要公布了：本发明属于半导体加工领域，公开了一种利用载盘进行SiC晶圆加工的工艺，具体包括以下步骤：S1、将完成前段正面制程，正面键合在玻璃载板，背面减薄后完成SiC基板背面离子植入及金属制程；S2、在基板背面上方倒扣载盘，整体翻转后旋转涂布SOG形成封堵层，解键合移除玻璃载板；S3、完成高温回火，取出后正面进行LID开窗及接触孔的填充；S4、涂布聚酰亚胺，通过曝光、显影、蚀刻聚酰亚胺后镀膜金属PAD；S5、完成晶圆切割后除去晶圆外圈的聚酰亚胺；S6、将晶圆贴附在切割模框，翻转后移除载盘，完成晶圆切割。本发明采用载盘承载碳化硅基板进行高温制程，克服了碳化硅基板高温制程中的温度对玻璃载板的限制，可以安全有效的进行碳化硅基板的高温回火。

本发明授权一种利用载盘进行SiC晶圆加工的工艺在权利要求书中公布了：1.一种利用载盘进行SiC晶圆加工的工艺，其特征在于，具体包括以下步骤： S1、将完成前段正面制程的SiC基板正面键合在玻璃载板，通过CMP研磨SiC基板背面减薄，完成SiC基板背面离子植入及金属制程； S2、在完成背面金属的SiC基板背面上方倒扣载盘，SiC基板背面与载盘表面的凹槽底面无缝贴合，整体翻转载盘、SiC基板和玻璃载板，然后于SiC基板外圈的载盘表面旋转涂布SOG形成封堵层，解键合移除SiC基板正面的玻璃载板； S3、将载盘及SiC基板放入高温炉管中加热，完成高温回火，取出后于SiC基板正面进行ILD开窗及接触孔的填充； S4、将晶圆正面涂布聚酰亚胺形成封堵层，通过曝光、显影、蚀刻聚酰亚胺后在金属对应接触孔区域形成开孔，然后通过镀膜金属PAD； S5、再次曝光、显影、蚀刻聚酰亚胺形成切割道，通过含氟电浆蚀刻晶圆至背面金属层，再通过激光切断背面金属，最后通过溶剂溶解除去晶圆外圈的聚酰亚胺； S6、将晶圆正面贴附在切割模框上，翻转后移除载盘，完成晶圆切割； 所述载盘表面均开设有至少一个凹槽，所述载盘为玻璃载盘或石墨载盘。

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