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龙图腾网获悉西安电子科技大学芜湖研究院申请的专利一种峰值电压检测电路及峰值电压检测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114487565B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111673954.5，技术领域涉及：G01R19/04；该发明授权一种峰值电压检测电路及峰值电压检测方法是由翟世奇;张野;宋子奇;田冀楠;臧光;吴勇;王东;何滇;李晴;王文强;查梦凡设计研发完成，并于2021-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种峰值电压检测电路及峰值电压检测方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种峰值电压检测电路及峰值电压检测方法，其中的电路包括：NMOS管M1、NMOS管M2、NMOS管M6、PMOS管M3、PMOS管M4、PMOS管M7和PMOS管M8、尾电流源I1、下拉电流源I2和采样保持电容Ch，其中，所述NMOS管M1、NMOS管M2构成差分输入管，所述PMOS管M3的栅极与所述PMOS管M4的栅极相连接，所述PMOS管M7的栅极和所述PMOS管M8的栅极相连接；所述PMOS管M3的漏极与所述PMOS管M4的源极之间还连接有开关S5。本发明中的电路，能够实现线性放大的回波脉冲峰值电压采集并保持一定时间，用于灰度测量，从而可降低对ADC速度的要求；且能够减小电路失调导致的测量误差，实现精确测量。

本发明授权一种峰值电压检测电路及峰值电压检测方法在权利要求书中公布了：1.一种峰值电压检测电路，其特征在于，包括： NMOS管M1、NMOS管M2、NMOS管M6、PMOS管M3、PMOS管M4、PMOS管M7和PMOS管M8、尾电流源I1、下拉电流源I2、采样保持电容Ch和复位电压源V1，其中， 所述NMOS管M1、NMOS管M2构成差分输入管，所述PMOS管M3的栅极与所述PMOS管M4的栅极相连接，所述PMOS管M7的栅极和所述PMOS管M8的栅极相连接；所述PMOS管M3的漏极与所述PMOS管M4的源极之间还连接有开关S5； 所述NMOS管M1的漏极通过开关S1与所述PMOS管M3的漏极以及所述NMOS管M6的栅极相连接，所述NMOS管M2的漏极通过开关S2与所述PMOS管M4的漏极和栅极相连接；所述NMOS管M1的漏极还通过开关S3与所述PMOS管M7的漏极相连接，所述NMOS管M2的漏极还通过开关S4与所述PMOS管M8的漏极和栅极相连接；所述PMOS管M3的源极、所述PMOS管M4的源极、所述PMOS管M7的源极、所述PMOS管M8的源极以及所述NMOS管M6的漏极均连接至电源； 所述NMOS管M6的源极连接至所述采样保持电容Ch的一端，所述采样保持电容Ch的另一端接地；所述下拉电流源I2还与开关S6串联后并联于所述采样保持电容Ch的两端；所述NMOS管M1的源极和所述NMOS管M2的源极连接所述尾电流源I1后接地； 所述PMOS管M7的漏极为峰值电压检测电路的输出端，所述NMOS管M1的栅极可经过开关S8和开关S9在所述峰值电压检测电路的输入端和输出端之间切换； 所述复位电压源V1与开关S7串联后并联于所述采样保持电容Ch的两端； 所述峰值电压检测电路的峰值电压检测方法，包括如下步骤： 控制闭合所述开关S3、所述开关S4、所述开关S6和所述所述开关S7，使所述峰值电压检测电路进入复位状态；此时，所述采样保持电容Ch的电平被复位至复位电平V1； 控制闭合所述开关S1、所述开关S2、所述开关S6和所述开关S8，使所述峰值电压检测电路进入写状态；此时，所述采样保持电容Ch检测脉冲电压的峰值，并保持于峰值电平； 当所述脉冲电压的脉冲结束时，控制断开所述开关S6； 控制断开所述开关S1、所述开关S2、所述开关S6和所述开关S8，控制闭合所述开关S3、所述开关S4、所述开关S5和所述开关S9，使所述峰值电压检测电路进入读状态；此时，所述峰值电压检测电路的输出端可被读时钟的上升沿触发输出保持在所述采样保持电容Ch上的所述峰值电平。

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