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龙图腾网获悉上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司申请的专利NMOS结构、制备方法及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114334829B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111670532.2，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权NMOS结构、制备方法及半导体器件是由武青青;刘轶群;徐振亚;朱建军;胡少坚设计研发完成，并于2021-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本NMOS结构、制备方法及半导体器件在说明书摘要公布了：本发明提供了一种NMOS结构、制备方法及半导体器件，所述制备方法包括提供衬底；在所述衬底上形成若干个鳍片结构；在所述鳍片结构表面形成栅氧层，并在所述鳍片结构之间沉积隔离层，在所述隔离层和所述鳍片结构的所述栅氧层上方形成栅极材料层；图形化所述栅极材料层，以形成若干个栅极线条，相邻所述栅极线条之间形成栅极间隔槽，在所得结构表面形成侧墙隔离层；形成开口区；在所述开口区内部依次形成成核区层和高磷掺杂区层，去除高磷掺杂区层表面的杂质层形成源极或漏极。本发明提高了NMOS沟道的应力，降低可NMOS源漏区的体电阻和接触电阻，并提高了产品良率。

本发明授权NMOS结构、制备方法及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种NMOS结构的制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底； 在所述衬底上形成若干鳍片结构； 在所述鳍片结构表面形成栅氧层，并在所述鳍片结构之间沉积隔离层，在所述隔离层和所述鳍片结构的所述栅氧层上方形成栅极材料层； 图形化所述栅极材料层，以形成若干个栅极线条，相邻所述栅极线条之间形成栅极间隔槽，在所得结构表面形成侧墙隔离层； 沿着所述栅极间隔槽刻蚀位于所述栅氧层上表面的侧墙隔离层、所述栅氧层和部分所述鳍片结构，以形成开口区； 在所述开口区内部从下到上依次形成成核区层和高磷掺杂区层，去除所述高磷掺杂区层表面形成的杂质层，以形成源极或漏极，其中，所述高磷掺杂区层的形成过程包括： 向形成所述成核区层的所述开口区内部通入第二生长气源和第二掺杂气源，调节所述第二掺杂气源在当前反应气源中的分压占比至第二阈值，以在所述成核区层表面形成高磷掺杂区层； 持续通入所述第二生长气源和所述第二掺杂气源，直至所述高磷掺杂区层上表面的生长速率降低到生长阈值； 其中，所述第二掺杂气源为磷烷气体，所述第二掺杂气源中的掺杂元素在所述高磷掺杂区层的浓度为2E21～8E21atomcm-3。

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