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龙图腾网获悉丰田合成株式会社;学校法人名城大学申请的专利发光元件的制造方法及发光元件的氢的提取方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114823305B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210025807.5，技术领域涉及：H01L21/26；该发明授权发光元件的制造方法及发光元件的氢的提取方法是由斋藤义树;坊山晋也;松井慎一;三轮浩士;永田贤吾;竹内哲也;石黑永孝设计研发完成，并于2022-01-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本发光元件的制造方法及发光元件的氢的提取方法在说明书摘要公布了：本发明提供在不会使发光元件的输出降低的情况下可以从由氮化物半导体构成的p型层提取氢的发光元件的制造方法、以及发光元件的氢的提取方法，即使在p型层由高Al组成的氮化物半导体构成的情况下，仍能够有效地提取氢。作为本发明的一个方式，提供发光元件1的制造方法，包括以下工序：针对发光波长为306nm以下的发光元件1，在施加反向电压或是比发光元件1的阈值电压低的正向电压的状态下、或不施加电压的状态下，从外侧照射波长为306nm以下的紫外光，实施热处理，将p型层中的氢提取到发光元件1之外的工序；在650℃以上的N2气氛下或500℃以上的N2+O2气氛下实施将p型层中的氢提取到发光元件1之外的工序。

本发明授权发光元件的制造方法及发光元件的氢的提取方法在权利要求书中公布了：1.一种发光元件的制造方法，所述发光元件包含发光波长为306nm以下的发光层和含有Mg作为受体的由AlGaInN构成的p型层； 所述制造方法包括以下工序： 形成具备所述发光层和所述p型层的所述发光元件的工序，以及 针对所述发光元件，在施加反向电压或比所述发光元件的阈值电压低的正向电压的状态下、或不施加电压的状态下，从外侧照射波长为306nm以下的紫外光，实施热处理，将所述p型层中的氢提取到所述发光元件之外的工序； 在650℃以上的N2气氛下或500℃以上的N2+O2气氛下实施将所述p型层中的氢提取到所述发光元件之外的工序， 所述发光元件具有基板、所述基板上的n型层、所述n型层上的所述发光层、所述发光层上的所述p型层、以及所述p型层上的p接触层， 所述p接触层的带隙小于所述基板和位于所述基板与所述发光层之间的层的带隙， 在将所述p型层中的氢提取到所述发光元件之外的工序中，将能量比所述基板和位于所述基板与所述发光层之间的层的带隙低的所述紫外光从所述基板侧照射到所述发光元件。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人丰田合成株式会社;学校法人名城大学，其通讯地址为：日本爱知县；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。